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지지기판;상기 지지기판상에 위치하고 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 발광구조물의 일면과 접하도록 위치하는 투광성전극층; 및상기 투광성전극층 내부에 위치하고 이온을 포함하는 전류제한층을 구비하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 이온은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 아르곤(Ar), 베릴륨(Be), 산소(O), 금(Au), 티타늄(Ti), 탄소(C), 플루오르(F), 수소(H), 헬륨(He), 알루미늄(Al), 요오드(I), 붕소(B), 질소(N), 셀레늄(Se), 황(S) 및 인(P)의 이온 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 발광구조물은 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 도전형 반도체층이 순차적으로 위치하고,상기 전류제한층은 상기 제2 도전형 반도체층과 접하도록 위치하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전류제한층은 상기 발광구조물과 소정거리로 이격되도록 위치하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 투광성전극층상에 패드를 더 포함하고,상기 전류제한층은 상기 패드와 수직적으로 일부 중첩되어 위치하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 투광성전극층상에 패드를 더 포함하고,상기 전류제한층의 폭은 상기 패드폭의 80%~250%인 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층상에 전극을 더 포함하고,상기 전류제한층은 상기 전극과 수직적으로 중첩되어 위치하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층상에 전극을 더 포함하고,상기 전류제한층의 폭은 상기 전극폭의 80%~250%인 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전류제한층의 두께는 상기 투광성전극층의 두께보다 작은 발광소자
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제1항에 있어서,상기 지지기판과 상기 발광구조물 사이에 반사층을 더 포함하는 발광소자
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제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;상기 발광구조물의 일면과 접하도록 투광성전극층을 형성하는 단계; 및상기 투광성전극층내 일부에 이온을 주입하여 전류제한층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 전류제한층을 형성하는 단계에 있어서,플라즈마를 이용하여 이온을 주입함으로써 전류제한층을 형성하는 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 전류제한층을 형성하는 단계에 있어서,실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 아르곤(Ar), 베릴륨(Be), 산소(O), 금(Au), 티타늄(Ti), 탄소(C), 플루오르(F), 수소(H), 헬륨(He), 알루미늄(Al), 요오드(I), 붕소(B), 질소(N), 셀레늄(Se), 황(S), 인(P)중 적어도 어느 하나를의 반응성 이온, 또는 기체분자를 주입하여 전류제한층을 형성하는 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 투광성전극층상에 패드를 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 패드는 상기 전류제한층과 수직적으로 중첩되게 형성하는 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 투광성전극층상에 반사층을 형성하는 단계 및 상기 제1 도전형 반도체층상에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 전극은 상기 전류제한층과 수직적으로 중첩되게 형성하는 발광소자 제조방법
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