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나노 발광다이오드 또는 마이크로 발광다이오드 구조 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200340
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 발광다이오드나 마이크로 발광다이오드의 구조 및 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 발광다이오드구조는 기판 그리고 n-GaN층과 p-GaN층 사이에 형성된 활성층을 포함하고 나노 혹은 마이크로 마스크를 이용하여 패턴을 형성한다. 이와 같은 구조에 의해 이온주입이나 플라즈마 도핑 방법을 이용하여 절연층을 형성하여 보다 쉽게 나노발광다이오드를 제작 할 수 있다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/24(2013.01) H01L 33/24(2013.01) H01L 33/24(2013.01) H01L 33/24(2013.01)
출원번호/일자 1020100029163 (2010.03.31)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0109430 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.31)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
2 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,
3 오승규 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0205479-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0299375-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0305354-43
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2015-0019584-49
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0288032-94
9 협의요구서
Request for Consultation
2015.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0354978-31
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0560365-49
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0560366-95
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0818981-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판; 및n-GaN층과 p-GaN층 사이에 형성된 활성층;을 포함하고 나노 혹은 마이크로 마스크를 이용하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드구조
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.