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투명전극을 구비한 GaN계 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 투명전극이 산화 아연에 산화 알루미늄 및 산화 갈륨이 도핑되어 형성된 산화 아연계 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 산화 아연계 산화물이 하기 화학식 1로 표시되는 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 산화 아연계 산화물에 추가로 +2, +3 또는 +4가 금속 산화물이 포함됨을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 산화 아연계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극이 1x10-3Ωㆍcm 이하의 비저항, 90% 이상의 광선 투과율 및 1x1019 cm-3 이상의 캐리어 농도를 지님을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 산화 아연계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극의 광흡수가 300~400 nm 영역에 있는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 산화 아연계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극이 1 nm 내지 1000 nm 두께임을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, GaN계 반도체와 산화 아연계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극이 오믹 접촉을 이루는 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, GaN계 반도체 발광 소자가 아래서부터 차례로 기판, 버퍼층, n형 GaN계 반도체층, 발광층, p형 GaN계 반도체층, n+형 GaN계 반도체층, 산화 아연계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극, 및 투명 산화물 전극 일측 상부와 n형 GaN계 반도체층의 타측상에 각각 형성된 n형 금속 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, GaN계 반도체 발광 소자가 아래서부터 차례로 기판, 버퍼층, n형 GaN계 반도체층, 발광층, p형 GaN계 반도체층, n+형 GaN계 반도체층, 산화 아연계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극, 및 투명 산화물 전극 일측 상부와 n형 GaN계 반도체층의 타측상에 각각 형성된 n형 금속 전극으로 구성됨을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자
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