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11족 전이금속 기판 또는 11족 전이금속 전극 상에 Ⅲ족 원소 및 Ⅵ족 원소를 함유하는 광흡수 전구체층을 형성하는 단계;
상기 광흡수 전구체층 상에 확산방지막을 형성하는 단계;
상기 확산방지막이 형성된 기판을 열처리하여 상기 기판 또는 상기 전극의 11족 전이금속을 상기 광흡수 전구체층 내로 확산시키고 상기 광흡수 전구체층을 결정화시켜 광흡수층을 형성하는 단계;
상기 확산방지막을 제거하여 상기 광흡수층을 노출시키는 단계; 및
상기 노출된 광흡수층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 기판은 구리 기판인 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 전극은 구리 전극인 태양전지 제조방법
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8
제1항에 있어서,
상기 광흡수 전구체층은 Ⅲ족 원소층과 Ⅵ족 원소층이 교대로 적층된 층인 태양전지 제조방법
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9
제1항에 있어서,
상기 확산방지막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 태양전지 제조방법
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10
제1항에 있어서,
상기 광흡수층은 Cu(InxGa1-x)(SeyS1-y)2(단, 0003c#X≤1, 0003c#Y≤1)을 갖는 태양전지 제조방법
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11
제1항에 있어서,
상기 윈도우층은 ZnO층인 태양전지 제조방법
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12
제1항에 있어서,
상기 열처리는 급속열처리법인 태양전지 제조방법
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