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실리콘 기판; 상기 실리콘 기판상에 패터닝된 탄화규소 박막; 및 상기 패터닝된 탄화수소 박막상에 적어도 1이상의 질화물 박막층이 순차 적층된 구조체를 포함하는 질화물계 발광소자
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제 1항에 있어서, 탄화규소 박막의 두께는 1∼10,000Å이고, 패턴 중심간 거리는 0
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제 1항에 있어서, 패턴의 형상은 직선, 원, 사각형, 및 육각형으로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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제 1항에 있어서, 질화물 박막층을 구성하는 질화물은 InxGayAlzN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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제 1항에 있어서, 질화물 박막층은 단층 또는 2층 이상의 복층으로 구성되어짐을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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실리콘 기판위에 탄화규소 박막층을 형성하는 단계; 상기 탄화규소 박막층을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 박막층 상에 적어도 1이상의 질화물 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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제 6항에 있어서, 탄화규소 박막층의 패터닝 단계는 탄화규소 박막상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 노광공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 패터닝된 포토레지스트 상에 마스크 금속층을 형성하는 단계; 리프트 오프 공정을 통해 패터닝된 포토레지스트층을 제거하는 단계; 마스크 금속이 증착되지 않은 탄화규소 박막층 부위를 식각하여 탄화규소 박막층의 패턴을 형성하는 단계; 및 마스크 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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제 6항에 있어서, 탄화규소 박막층은 메틸클로로실란(CH3SiCl3), 헥사메틸다이실란((CH3)6Si2), 테트라메틸실란((CH3)4Si), SiH4와 CH4의 혼합물, Si2H6와 C3H8의 혼합물, SiH4와 C3H8의 혼합물로 구성된 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 원료로 형성되어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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제 6항에 있어서, 질화물 박막층은 트리메틸인듐(TMIn), 트리메틸갈륨(TMGa), 트리메틸알루미늄(TMAl), 암모니아(NH3), 하이드라진(H2NNH2)으로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 원료로 하여 형성되어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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