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광원소자에서 출광되는 빛의 반사 손실을 억제하기 위해 무반사 코팅이 되고 표면에 전기적 배선을 구비하는 실리콘 칩; 상기 실리콘 칩 내부에 전송되는 신호를 광신호로 변경하여 외부로 송신하는 광원소자; 및 외부에서 전송되는 광신호를 수신하여 전기적인 실리콘 칩 내부의 신호로 변경하는 수광소자를 포함하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 1항에 있어서, 상기 실리콘 칩에는 상기 광원소자 및 상기 수광소자를 한 쌍씩 구비하고, 상기 광원소자 및 상기 수광소자를 구비한 상기 실리콘 칩은 적어도 한 층 이상이 적층된 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 2항에 있어서, 상기 각각의 실리콘 칩 사이에는 전기적인 절연을 위하여 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 2항에 있어서, 상기 각각의 실리콘 칩 중 각각의 광원소자 및 수광소자가 맞닿는 면은 소정의 공간확보를 위한 스페이서가 위치하는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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표면에 전기적 배선을 구비하는 실리콘 칩; 상기 실리콘 칩 내부에 전송되는 신호를 광신호로 변경하여 외부로 송신하는 광원소자; 및 외부에서 전송되는 광신호를 수신하여 전기적인 실리콘 칩 내부의 신호로 변경하는 수광소자를 포함하고, 상기 실리콘 칩은 칩의 적층을 용이하게 하기 위한 인터포즈 상부에 적층되고, 상기 인터포즈는 상기 실리콘 칩에 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 6항에 있어서, 상기 인터포즈는 외부회로와 전기적인 연결을 위한 솔더범프를 구비하는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 6항에 있어서, 상기 인터포즈와 상기 실리콘 칩 중 최하부에 적층된 실리콘 칩 사이에는 마스크 솔더범프가 형성되는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 6항에 있어서, 상기 인터포즈 상부에 적층된 적어도 하나 이상의 실리콘 기판 패키지는 복수개가 구비되는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 9항에 있어서, 상기 각각의 인터포즈는 전력 이동 및 저속 신호의 이동이 가능한 고주파 연결핀으로 연결되는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 1항에 있어서, 상기 실리콘 칩은 연성기판 상부에 적층되는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 11항에 있어서, 상기 연성기판 상부에는 상기 실리콘 칩이 적어도 하나 이상이 적층되는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 12항에 있어서, 상기 실리콘 칩이 적어도 하나 이상 적층된 연성기판은 복수개가 구비되는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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제 13항에 있어서, 상기 각각의 연성기판은 인터포즈는 전력 이동 및 저속 신호의 이동이 가능한 고주파 연결핀으로 연결되는 것을 특징으로 하는 장파장 광원을 이용한 반도체 패키지 적층 구조
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