| 1 |
1
실리콘 온 인슐레이터(Silicon on insulator, 'SOI')기판; 상기 SOI기판 상부에 적층되고, 패터닝된 실리콘 박막; 및 상기 실리콘 박막 상부에 적층된 적어도 하나 이상의 질화물 박막층을 포함하는 질화물계 발광소자
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 기판 상부표면의 패터닝 깊이는 1~10,000㎚이고, 패턴 중심간의 거리는 0
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 박막 상부표면의 패터닝 형상은 직선, 원, 사각형, 육각형 중 선택되는 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막층을 구성하는 질화물은 InxGayAlzN의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막층은 3족 원자를 포함하는 기체와 질소원자를 포함하는 기체를 원료로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막층은 3족 원소와 질소원자가 함께 구조내 포함된 단일 화합물을 원료로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
|
| 7 |
7
SOI(Silicon on insulator)기판 상부에 실리콘 박막을 적층하고, 상기 시리콘 박막을 패터닝 하는 단계; 및상기 패터닝된 실리콘 박막 상부에 갈륨 질화물 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 질화물계 발광소자 제작방법
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서, 상기 실리콘 박막을 패터닝 하는 단계는포토레지스트를 코팅하는 단계; 노광공정을 통해 포토레지시트 패턴을 형성하는 단계;마스크 포토레지시트가 존재하지 않는 실리콘 박막 부위를 식각하여 실리콘 박막의 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마스크 포토레지스트 층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제작방법
|
| 9 |
9
제 8항에 있어서, 상기 식각 방법은 건식, 습식, 스크라이빙 중 선택되는 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제작방법
|
| 10 |
10
제 8항에 있어서, 상기 식각 부위를 스크라이빙 또는 브레이킹 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자 제작방법
|
