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기판; 상기 기판의 아래에 부착되고 아랫면에 종단이 면의 형상인 돌기가 적어도 하나 이상 형성되는 n형 클래드층; 상기 n형 클래드층에 형성된 적어도 하나 이상의 돌기의 아래에 각각 적층되는 활성층; 상기 활성층의 아래에 각각 적층되는 p형 클래드층; 상기 n형 클래드층에 부착되는 금속전극; 및 상기 p형 클래드층에 각각 부착되는 적어도 하나 이상의 금속전극을 포함하고, 상기 n형 클래드층의 돌기, 상기 돌기의 아래에 적층된 활성층 및 상기 활성층의 아래에 적층된 p형 클래드층은 일체로 기둥의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 n형 클래드층 및 상기 p형 클래드층은 질화갈륨계 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 n형 클래드층의 돌기, 상기 돌기의 아래에 적층된 활성층 및 상기 활성층의 아래에 적층된 p형 클래드층이 일체로 형성된 기둥의 둘레에는 유전체 절연층이 코팅되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 3항에 있어서, 상기 유전체 절연층은 질화갈륨보다 굴절률이 작은 산화물 유전체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 3항에 있어서, 상기 유전체 절연층은 질화규소(Si3N4) 또는 산화규소(SiO2) 중에서 선택되는 한 가지 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 n형 클래드층의 돌기, 상기 돌기의 아래에 적층된 활성층 및 상기 활성층의 아래에 적층된 p형 클래드층이 일체로 형성된 기둥은 높이가 1~300마이크로미터인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 n형 클래드층의 돌기, 상기 돌기의 아래에 적층된 활성층 및 상기 활성층의 아래에 적층된 p형 클래드층이 일체로 형성된 기둥은 단면이 원 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 p형 클래드층의 아래에는 금속 반사막이 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 8항에 있어서, 상기 금속 반사막은 금, 알루미늄, 은, 팔라듐 및 그 합금 중에서 선택되는 한 가지 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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10
제 1항에 있어서, 상기 p형 클래드층의 두께는 상기 활성층에서 발생하는 빛의 1/4 파장의 정수 배인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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