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유전체 ＤＢＲ을 구비한 질화물계 발광소자 및 이의제조방법

  • 기술번호 : KST2015200383
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판 상에 갈륨 질화물 박막 성장; 및 상기 갈륨 질화물 박막의 패터닝; 식각된 부분에 유전체 DBR 성장, 상기 패턴된 갈륨 질화물 박막 상에 적어도 1이상의 질화물 박막층이 순차 재 적층된 구조체를 포함하는 질화물계 발광소자를 제공한다. 상기 본 발명에 따른 질화물계 발광소자는 갈륨 질화물의 성장과정에서 박막내의 결정결함과 응력을 동시에 줄여 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하고, 고반사율의 DBR에 의한 발광효율을 증가시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하다.실리콘, 갈륨 질화물, 패터닝, 유전체 DBR
Int. CL H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020060024926 (2006.03.17)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0771227-0000 (2007.10.23)
공개번호/일자 10-2007-0094344 (2007.09.20) 문서열기
공고번호/일자 (20071029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.03.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 이상헌 대한민국 부산광역시 금정구
4 김윤석 대한민국 서울특별시 강북구
5 김광철 대한민국 광주광역시 광산구
6 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
7 전성란 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
8 유영문 대한민국 대전시 유성구
9 염홍서 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0189462-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0012639-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0219898-22
5 의견서
Written Opinion		 2007.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0460464-72
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0460462-81
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0530580-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 패터닝된 갈륨 질화물 박막; 상기 패터닝된 갈륨 질화물 박막의 식각된 부분에 유전체 DBR 성장; 및 상기 유전체 DBR을 갖는 패터닝된 갈륨 질화물 박막 상부에 적층된 적어도 하나 이상의 질화물 박막층을 포함하는 질화물계 발광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막의 패터닝 깊이는 0
3 3
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막의 패터닝 형상은 직선, 원, 사각형, 육각형 중 선택되는 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 유전체 DBR을 구비한 질화물계 발광소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막층을 구성하는 질화물은 InxGayAlzN의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 유전체 DBR을 구비한 질화물계 발광소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 질화물 박막층은 3족 원자를 포함하는 기체와 질소원자를 포함하는 기체를 원료로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체 DBR을 구비한 질화물계 발광소자
6 6
기판상부에 질화물박막을 성장시키는 단계;질화물 박막을 패터닝 하는 단계;상기 패터닝된 질화물 박막의 식각 부분에 유전체 DBR을 성장시키는 단계; 및상기 식각 부분에 유전체 DBR을 갖는 패터닝된 질화물 박막 상부에 질화물 결정을 재 성장시키는 단계를 포함하는 유전체 DBR을 구비한 질화물계 발광소자 제작방법
7 7
제 6항에 있어서, 유전체 DBR을 갖는 패터닝된 질화물 박막의 형성 단계는질화물 박막위에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 노광공정을 통해 포토레지시트 패턴을 형성하는 단계;마스크 포토레지시트가 존재하지 않는 기판 표면 부위를 식각하여 질화물 박막에 패턴을 형성하는 단계;패터닝된 식각부분에 유전체 DBR을 성장시키는 단계; 및 마스크 포토레지스트 층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 DBR을 구비한 질화물계 발광소자 제작방법
8 8
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9 9
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국가 R&D 정보가 없습니다.