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발광효율을 증가하기 위한 반도체 발광 소자에 있어서,기판; 및상기 기판 상에 적층되고, 하나의 활성층을 포함하는 복수 개의 단일 발광다이오드 모듈로 이루어지며, 인접하는 단일 발광다이오드 모듈의 반도체층이 동형(同形)인 발광층;각 반도체층에 형성되어 상기 각 반도체층을 통과하여 전류가 흐를 수 있도록 하는 금속전극층;상기 금속전극층 중 동형(同形)의 금속전극층이 서로 연결되고, 상기 연결된 금속전극층의 측면부와 적층된 발광층의 측면부 사이에, 상기 금속전극층의 측면부로부터 발광층으로 전류가 주입되는 것을 제한하는 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 2항에 있어서, 상기 단일 발광 다이오드 모듈은 p-i-n형 또는 n-i-p형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 2항에 있어서, 상기 금속전극층은 각 반도체층의 소정의 영역을 식각하여 노출하고 그 위에 각각 구비되되, 상기 금속전극층의 측면부와 적층된 발광층의 측면부 사이에는 측면부로 전류가 주입되는 것을 제한하는 절연막 또는 공기층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 2항에 있어서, 상기 복수 개의 단일 발광다이오드 모듈에 포함되는 활성층은 같은 파장영역의 광을 생성하거나 혹은 다른 파장영역의 광을 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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a)기판 상에 반도체층, 활성층 및 상기 반도체층과 이형(異形)의 반도체층을 순차로 적층하고 그 위에 활성층 및 반도체층으로 구성된 구조를 하나 이상 더 적층하는 단계; 및b)상기 각 반도체층에는 반도체층과 동형(同形)의 금속전극층을 적층하는 단계;c)상기 반도체층에 형성된 동형(同形)의 금속전극층을 서로 연결하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 기판 상에 적층된 반도체층은 p형 및 n형 또는 n형 및 p형 반도체층으로 교대로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 동형의 금속전극층을 연결하는 금속전극층의 측면부와 적층된 발광층의 측면부 사이에는, 상기 금속전극층의 측면부로부터 발광층으로 전류가 주입되는 것을 제한하는 절연막을 더 포함하는 단계를 추가하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, b)단계는 상기 반도체층의 소정 영역을 메사 식각하고, 노출된 적층 구조의 측면부에 절연막을 형성한 후, 상기 반도체층 상에 반도체층과 동형(同形)의 금속전극층을 적층하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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발광효율을 증가하기 위한 반도체 발광소자에 있어서, 기판;상기 기판 상에 적층되고, 하나의 활성층을 포함하는 단일 발광다이오드 모듈을 적어도 복수 개로 구비하는 발광층;상기 발광층의 각 반도체층의 일면에 형성되어 독립적으로 전류를 공급할 수 있는 금속전극층; 및상기 금속전극층에 형성되고 전원과 연결된 적어도 두 개 이상의 다중단자 전극;을 포함하는 반도체 발광소자의 구조
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제 14항에 있어서, 상기 단일 발광 다이오드 모듈은 p-i-n형 또는 n-i-p형 중 어느 하나인 것으로 하되, 인접하는 반도체층은 동형(同形)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 구조
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제 14항에 있어서, 상기 금속전극층은 동형(同形)의 금속전극층 간에 서로 연결되고, 상기 연결된 금속전극층의 측면부와 적층된 발광층의 측면부 사이에 금속전극층의 측면부로부터 발광층으로 전류가 주입되는 것을 제한하는 절연막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 구조
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