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기판, 상기 기판 위에 제1 클래드층, 활성층, 제2 클래드층 및 전극층이 순차로 형성되고, 상기 활성층의 상하 접촉면의 유효면적이 상기 다른 층간의 접촉면의 유효면적보다 더 증가된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 기판과 제1 클래드층 사이에 버퍼층, 분산형 브래그 리플렉터층(DBR)이 추가로 더 형성되고, 상기 제2 클래드층과 전극층 사이에 윈도우층이 추가로 더 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 제1 클래드층과 제2 클래드층은 서로 다른 반도체 영역으로서 알루미늄인듐인(AlInP), 알루미늄갈륨인듐인(AlxGayIn1-x-yP(x+y<1))로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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기판 위에 제1 클래드층을 적층하고 소정의 성장조건 하에서 상기 제1 클래드층의 표면을 굴곡성장시키는 단계;상기 제1 클래드층 위에 활성층을 적층시키는 단계;상기 활성층 위에 상기 제1 클래드층의 반도체 영역과 반대인 반도체 영역을 가지는 제2 클래드층을 적층시키는 단계; 및상기 제2 클래드층 위에 전극층을 순차로 적층하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 기판과 제1 클래드층 사이에 버퍼층, 분산형 브래그 리플렉터층(DBR)을 추가로 더 형성하는 단계 및 상기 제2 클래드층과 전극층 사이에 윈도우층을 추가로 더 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 제1 클래드층과 제2 클래드층은 제3족 원소로 구성된 그룹과 제5족 원소로 구성된 그룹에서 각각 선택된 어느 하나 이상의 원소의 결합으로 이루어진 화합물반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 제1 클래드층과 제2 클래드층의 원소의 결합비는 3족 원소의 몰비와 5족 원소의 몰비가 1:1 인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 제1 클래드층의 성장조건은 600℃ 내지 750℃의 온도인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 제1 클래드층과 제2 클래드층은 알루미늄인듐인(AlInP), 알루미늄갈륨인듐인(AlxGayIn1-x-yP(x+y<1))로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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