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윈도우층을 포함한 발광 다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200387
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 생성부의 상면에 윈도우층이 적층되는 발광소자에 관한 것으로서, 윈도우층 물질로 기존의 갈륨인(GaP)에서 갈륨인듐인(GaInP), 알루미늄갈륨인듐인(AlGaInP)로 변경한 것이다. 본 발명에 따르면, 에피 성장시 발생하는 격자간 부정합을 줄일 수 있고, 또한 인듐 물질의 도입으로 인해 흡착소자(adsorbed atoms, 이하 adatoms)들의 이동도를 향상시켜 고품위의 막질 및 표면 형상의 구현으로 막 내부에 존재하는 결함 밀도를 감소시킬 수 있어 광 흡수에 의한 발광효율 감소를 최소화시킬 수 있다. 따라서, 고휘도를 가지는 발광소자 구현에 매우 유리한 구조 및 구성 방법을 제공할 수 있다.윈도우층, 갈륨인(GaP), 갈륨인듐인, 알루미늄갈륨인듐, 결함밀도, 격자 부정합
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020060128870 (2006.12.15)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0055482 (2008.06.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.15)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오화섭 대한민국 광주 광산구
2 이진홍 대한민국 광주 북구
3 김강호 대한민국 광주 광산구
4 백종협 대한민국 대전 서구
5 유영문 대한민국 대전 유성구
6 염홍서 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0931849-26
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0590714-09
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0951065-41
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0083381-27
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0083379-35
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0281275-21
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광 생성부의 상면에 갈륨인듐인(GaInP), 알루미늄갈륨인듐인(AlGaInP)으로 구성된 그룹에서 선택되는 1종 이상의 물질로 구성된 윈도우층을 포함하는 발광 다이오드
2 2
제 1항에 있어서, 상기 광 생성부는 서로 다른 영역의 반도체층과 그 사이에 형성되는 활성층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
3 3
제 1항에 있어서, 상기 갈륨인듐인의 조성비는 GayIn1-yP(0＜y＜1) 인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
4 4
제 1항에 있어서, 상기 알루미늄갈륨인듐인의 조성비는 AlxGayInzP(x+y+z=1)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
5 5
제 4항에 있어서, 상기 x의 범위는 0≤x≤0
6 6
기판 위에 하부 반도체층, 활성층, 및 상기 하부 반도체층과 다른 영역의 반도체층인 상부 반도체층이 적층되는 단계; 및상기 상부 반도체층의 상면에 갈륨인듐(GaInP)인, 알루미늄갈륨인듐인(AlGaInP)으로 구성된 그룹에서 선택되는 1종 이상의 물질로 구성된 윈도우층이 적층되는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 갈륨인듐인의 조성비는 GayIn1-yP(0＜y＜1) 인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
8 8
제 6항에 있어서, 상기 알루미늄갈륨인듐인의 조성비는 AlxGayInzP(x+y+z=1) 인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 x의 범위는 0≤x≤0
10 10
제 6항에 있어서, 상기 기판 위에 알루미늄비소(AlAs)층 및 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)층을 포함하는 복수 개의 분산 브래그반사층(Distrubuted Bragg Reflection Layer, DBR)을 추가로 적층하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.