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고내정전압을 갖는 발광다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200388
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고내정전압을 가지는 발광다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로서 구체적으로는 제1 반도체층의 상면과 제2 반도체층 상면에 걸쳐서 구비되는 제1 전극층, 상기 제1 전극층과 이격되어 상기 제2 반도체층의 상면에 형성되는 투명전극층, 및 상기 투명전극층의 상면에 구비되는 제2 전극층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 전극의 형상을 통상적인 전극과 달리 배치하는 구조를 채택하여 정전기(electrostatic discharge)에 대한 내성이 있고, 전기적 충격에 강한 고신뢰성의 발광다이오드 소자를 제공할 수 있다.고내정전압, 정전기, 발광다이오드, 전극층, 투명전극층
Int. CL H01L 33/36 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020070004582 (2007.01.16)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0875128-0000 (2008.12.15)
공개번호/일자 10-2008-0067392 (2008.07.21) 문서열기
공고번호/일자 (20081222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.16)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백종협 대한민국 대전광역시 서구
2 김상묵 대한민국 광주시 서구
3 이상헌 대한민국 부산광역시 금정구
4 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
5 진정근 대한민국 서울 동대문구
6 김윤석 대한민국 서울특별시 강북구
7 염홍서 대한민국 서울특별시 마포구
8 유영문 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0042162-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0075171-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0666170-76
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0100027-24
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0100029-15
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0339693-96
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0596328-16
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0596327-60
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0617370-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
제 1반도체층의 상면과 제 2반도체층 상면에 걸쳐서 구비되며, 상기 제 2반도체층에 걸쳐져서 형성된 하나 이상의 면에 요철이 형성되는 제1 전극층;상기 제1 전극층과 이격되어 상기 제2 반도체층의 상면에 형성되는 투명전극층;상기 투명전극층의 상면에 구비되는 제2 전극층을 포함하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 서로 다른 유형의 불순물이 도핑된 이형(異形) 반도체층인 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1전극층은, 상기 제 1 반도체층이 p형 반도체층 또는 n형 반도체층에 따라 각각 p형 전극 또는 n형 전극인 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 2전극층은, 상기 제 2반도체층이 p형 반도체층 또는 n형 반도체층에 따라 각각 p형 전극 또는 n형 전극인 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 발광다이오드는 플립칩 구조인 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드
7 7
제1 반도체층의 상면 및 상기 제1 반도체층의 상부에 적층된 제2 반도체층의 상면에 걸쳐서 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층에 이격하여 상기 제2 반도체층의 상면에 투명전극층을 형성하는 단계;상기 투명전극층의 상면에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층은 서로 다른 유형의 불순물이 도핑된 이형(異形) 반도체층인 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 제 1전극층은, 상기 제 1반도체층이 p형 반도체층 또는 n형 반도체층에 따라 각각 p형 전극 또는 n형 전극인 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드의 제조방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 제 2전극층은, 상기 제 2반도체층이 p형 반도체층 또는 n형 반도체층에 따라 각각 p형 전극 또는 n형 전극인 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드의 제조방법
11 11
제 7항에 있어서, 상기 제2 반도체층의 상면에 걸쳐서 구비되는 제1 전극층의 형상은, 제2 반도체층에 걸쳐진 제1 전극층의 하나 이상의 면을 요철부로 하는 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드의 제조방법
12 12
제 7항에 있어서, 상기 제1 반도체층 및 상기 제1 반도체층의 상부에 적층된 제2 반도체층 사이에 발광층을 더 적층하는 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드의 제조방법
13 13
제 7항에 있어서, 상기 제 2전극층을 형성하는 단계 후에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층에 솔더볼을 접착하여 보조기판에 연결하는 플립칩 본딩 단계를 더 추가하는 것을 특징으로 하는 고내정전압을 갖는 발광다이오드의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05270575 JP 일본 FAMILY
2 JP22516054 JP 일본 FAMILY
3 TW200835001 TW 대만 FAMILY
4 US08294167 US 미국 FAMILY
5 US20100295087 US 미국 FAMILY
6 WO2008088165 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2010516054 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2010516054 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2010516054 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5270575 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 TW200835001 TW 대만 DOCDBFAMILY
6 TWI353071 TW 대만 DOCDBFAMILY
7 US2010295087 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8294167 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2008088165 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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