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수직 발광 다이오드 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2015200390
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 수직 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로 기판 위에 식각중지층을 적층하는 단계를 포함하고, 상기 식각중지층 위에 조성비가 AlxGa1-xAs(x≥0.6)인 알루미늄갈륨비소로 구성된 투명층을 적층하는 단계를 포함한다. 그리고, 상기 투명층 위에 불순물이 도핑된 하부 반도체층, 활성층, 상기 하부 반도체층과 이형(異形)의 불순물이 도핑된 상부 반도체층, 및 윈도우층을 적층하는 단계를 포함하고, 상기 기판 및 투명층 하면의 식각중지층 일부를 제거한 후 잔존하는 식각중지층의 하면 및 상기 윈도우층의 상면에 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 구동전압이 증가하는 것을 방지하고, 높은 온도에 의해 소자의 특성이 열화되는 것을 방지하는 효과가 있다. 또한, 고휘도를 가지는 수직형 발광소자를 구현하고, 공정의 용이성으로 인해 제조단가를 낮추는 효과가 있다.고휘도 발광 다이오드, 투명층, 식각중지층
Int. CL	H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC	H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자	1020060128778 (2006.12.15)
출원인	한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2008-0055433 (2008.06.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.12.15)
심사청구항수	14

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원	대한민국	광주광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	오화섭	대한민국	광주 광산구
2	이진홍	대한민국	광주 북구
3	김강호	대한민국	광주 광산구
4	백종협	대한민국	대전 서구
5	유영문	대한민국	대전 유성구
6	염홍서	대한민국	서울 마포구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	황이남	대한민국	서울시 송파구 법원로 *, **호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2006-0931522-13
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2007.09.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.10.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0058555-18
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2007.11.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0627300-67
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2008.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2008-0057318-17
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.02.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0135758-90
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.02.25	수리 (Accepted)	1-1-2008-0135759-35
8	심사처리보류(연기)보고서 Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination	2008.06.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2008-0019645-66
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2008.07.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0396184-38
10	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2008.09.29	수리 (Accepted)	1-1-2008-0683369-96
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.10.29	수리 (Accepted)	1-1-2008-0752091-06
12	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.10.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0752090-50
13	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2009.02.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0081560-38
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 인접하는 반도체층과 동형(同形)의 불순물로 도핑되고 조성비가 AlxGa1-xAs(x≥0
2	2 인접하는 반도체층과 동형(同形)의 불순물로 도핑되고 조성비가 AlxGa1-xAs(x≥0
3	3 제 2항에 있어서, 상기 기판은 갈륨비소(GaAs)인 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드
4	4 제 2항에 있어서, 상기 기판의 두께는 10㎛~100㎛인 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드
5	5 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 투명층의 두께는 50㎛~200㎛인 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드
6	6 기판 위에 조성비가 AlxGa1-xAs(x≥0
7	7 기판 위에 식각중지층(Etch stop layer)을 적층하는 단계;상기 식각중지층 위에 조성비가 AlxGa1-xAs(x≥0
8	8 제 7항에 있어서, 상기 식각중지층은 상기 하부 반도체층과 동형(同形)의 불순물을 포함하는 인듐갈륨인(GaInP)층 및 그 위에 적층된 갈륨비소(GaAs)층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드의 제조방법
9	9 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 기판은 상기 하부 반도체층과 동형의 불순물로 도핑된 갈륨비소(GaAs)인 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드의 제조방법
10	10 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 기판의 두께는 10㎛~100㎛인 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드의 제조방법
11	11 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 투명층은 상기 하부 반도체층과 동형의 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드의 제조방법
12	12 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 투명층의 두께는 50㎛~200㎛인 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드의 제조방법
13	13 제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 투명층은 액상 에피택시법(Liquid Phase Epitaxy)으로 적층되는 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드의 제조방법
14	14 갈륨비소(GaAs)기판 위에 조성비가 AlxGa1-xAs(x≥0
15	15 갈륨비소(GaAs)기판 위에 갈륨인듐인(GaInP)층 및 갈륨비소(GaAs)층을 식각중지층으로 하여 적층하는 단계;상기 식각중지층 위에 조성비가 AlxGa1-xAs(x≥0
16	16 제 14항 또는 제 15항에 있어서, 상기 갈륨비소 기판, 식각중지층, 투명층 및 하부 반도체층은 동형의 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드의 제조방법
17	17 제 6항, 제 7항, 제14항 및 제 15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 투명층을 적층하고 난 후 투명층 위에 성장된 산화층을 제거하는 완충산화식각액(buffered oxide etchant, BOE) 처리 또는 열세척(thermal cleaning) 처리를 수행하는 단계를 추가로 더 포함하는 수직 발광다이오드의 제조방법
18	18 제 6항, 제 7항, 제14항 및 제 15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 기판의 제거 후 잔존하는 기판은 알루미늄의 조성비에 의해 알루미늄갈륨비소층 또는 갈륨비소층을 제거하는 타르타르 용액(Tartaric solution)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 발광다이오드의 제조방법

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.12.15	수리 (Accepted)	1-1-2006-0931522-13
2	선행기술조사의뢰서	2007.09.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.10.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0058555-18
4	의견제출통지서	2007.11.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0627300-67
5	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2008.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2008-0057318-17
6	[명세서등 보정]보정서	2008.02.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0135758-90
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.02.25	수리 (Accepted)	1-1-2008-0135759-35
8	심사처리보류(연기)보고서	2008.06.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2008-0019645-66
9	의견제출통지서	2008.07.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0396184-38
10	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2008.09.29	수리 (Accepted)	1-1-2008-0683369-96
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.10.29	수리 (Accepted)	1-1-2008-0752091-06
12	[명세서등 보정]보정서	2008.10.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0752090-50
13	거절결정서	2009.02.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0081560-38
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
15	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39

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