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칩스케일 패키징 발광소자 및 그의 제조방법

기술번호 : KST2015200394
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 칩스케일로 패키징된 발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 위에 n형 및 p형 반도체층을 포함하는 발광소자에 있어서 특히, 반도체층 상에 구비된 제 1 전극과, 제 1 보호막층을 사이에 두고 상기 제 1 전극에 전기적으로 연결된 제 2 전극을 포함하는 발광소자와 이들의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 발광소자의 제조과정에서 와이어 본딩과 다이 본딩과정의 생략으로 공정의 단순화 및 제조비용을 절감할 수 있으며 패키지의 두께를 줄일 수 있는 효과가 있어 발광 효율을 극대화할 수 있다. 이렇게 형성된 반도체 발광소자는 다른 패키지 및 인쇄회로기판에 곧바로 실장할 수 있는 장점이 있다.칩스케일, 발광소자, 반도체층, 전극, 보호막층, 와이어본딩, 다이본딩
Int. CL	H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/56 (2010.01.01) H01L 33/54 (2010.01.01) H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/22 (2010.01.01)
CPC	H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01)
출원번호/일자	1020070066709 (2007.07.03)
출원인	한국광기술원
등록번호/일자	10-0878326-0000 (2009.01.06)
공개번호/일자	10-2007-0079956 (2007.08.08) 문서열기
공고번호/일자	(20090114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2007.07.03)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원	대한민국	광주광역시 북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	유영문	대한민국	서울 마포구
2	백종협	대한민국	대전 서구
3	김상묵	대한민국	광주 서구
4	진정근	대한민국	경기 군포시
5	이상헌	대한민국	부산 금정구
6	정 탁	대한민국	광주 광산구
7	이승재	대한민국	전북 전주시 덕진구
8	김윤석	대한민국	서울 강북구
9	이진홍	대한민국	광주 북구
10	김강호	대한민국	광주 광산구
11	오화섭	대한민국	광주 광산구
12	염홍서	대한민국	서울 마포구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	황이남	대한민국	서울시 송파구 법원로 *, **호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국광기술원	대한민국	광주광역시 북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.07.03	수리 (Accepted)	1-1-2007-0486498-11
2	조기공개신청서 Request for Early Opening	2007.07.20	수리 (Accepted)	1-1-2007-0526234-14
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2008.03.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2008.04.15	수리 (Accepted)	9-1-2008-0023017-92
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2008.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0229349-03
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2008.06.30	수리 (Accepted)	1-1-2008-0471091-37
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2008.07.29	수리 (Accepted)	1-1-2008-0548006-50
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.07.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0548005-15
9	심사처리보류(연기)보고서 Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination	2008.11.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2008-0028061-13
10	등록결정서 Decision to grant	2008.12.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0649424-69
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 위에 순차로 적층된 n형 및 p형 반도체층 상의 일부에 각각 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극을 형성하는 (a) 단계;상기 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극을 포함한 상기 n형 및 p형 반도체층 위에 제 1 보호막층을 형성하는 (b) 단계;상기 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극의 일부가 노출되도록 상기 제 1 보호막층 중 일부를 식각하는 (c) 단계;상기 노출된 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극과 각각 전기적으로 연결되는 복수 개의 n형 제 2 전극 및 복수 개의 p형 제 2 전극을 형성하는 (d) 단계;상기 기판을 제거한 후 상기 기판의 위치에 글래스 또는 형광체층을 형성하는 (e) 단계; 및한 개의 n형 전극과 한 개의 p형 전극을 포함하는 복수 개의 개별 발광소자로 분리하는 (f) 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 제 1 보호막층은 폴리미드, 에폭시 수지, 및 SOG로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 제 1 보호막층 위에 글래스 또는 세라믹 필름으로 이루어진 제 2 보호막층을 더 추가하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
4	4 제 3항에 있어서, 상기 제 2 보호막층은, 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극의 일부가 노출되도록 상기 제 1 보호막층과 함께 식각되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
5	5 제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 p형 반도체층과 복수 개의 p형 제 1 전극 사이에 광의 반사를 위한 반사금속층을 추가로 더 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
6	6 제 1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 복수 개의 n형 제 1 전극의 일부가 노출되는 식각은 메사 식각을 수행하여 측면에 경사기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
7	7 제 1항에 있어서,상기 반도체층은 질화물 화합물계 반도체층인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
8	8 기판 위에 순차로 적층된 n형 및 p형 반도체층 상의 일부에 각각 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극을 형성하는 (a) 단계;상기 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극을 포함한 상기 n형 및 p형 반도체층 위에 제 1 보호막층을 형성하는 (b) 단계;상기 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극의 일부가 노출되도록 상기 제 1 보호막층 중 일부를 식각하는 (c) 단계;상기 노출된 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극과 각각 전기적으로 연결되는 복수 개의 n형 제 2 전극 및 복수 개의 p형 제 2 전극을 형성하는 (d) 단계;상기 기판을 제거한 후 기판이 부착된 반도체층의 일면을 규칙적 또는 불규칙적인 요철을 가지도록 텍스쳐링(texturing)하는 (e) 단계; 및한 개의 n형 전극과 한 개의 p형 전극을 포함하는 복수 개의 개별 발광소자로 분리하는 (f) 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
9	9 제 8항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 제 1 보호막층 위에 글래스 또는 세라믹 필름으로 이루어진 제 2 보호막층을 더 추가하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 제 2 보호막층은, 복수 개의 n형 제 1 전극 및 복수 개의 p형 제 1 전극의 일부가 노출되도록 상기 제 1 보호막층과 함께 식각되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
11	11 삭제
12	12 삭제

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0878326-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070703 출원 번호 : 1020070066709 공고 연월일 : 20090114 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20081230 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 33/00 B00 발명의 명칭 : 칩스케일 패키징 발광소자 및 그의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20120107

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국광기술원 광주광역시 북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	258,000 원	2009년 01월 07일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.07.03	수리 (Accepted)	1-1-2007-0486498-11
2	조기공개신청서	2007.07.20	수리 (Accepted)	1-1-2007-0526234-14
3	선행기술조사의뢰서	2008.03.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2008.04.15	수리 (Accepted)	9-1-2008-0023017-92
5	의견제출통지서	2008.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0229349-03
6	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2008.06.30	수리 (Accepted)	1-1-2008-0471091-37
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2008.07.29	수리 (Accepted)	1-1-2008-0548006-50
8	[명세서등 보정]보정서	2008.07.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0548005-15
9	심사처리보류(연기)보고서	2008.11.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2008-0028061-13
10	등록결정서	2008.12.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2008-0649424-69
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.03	수리 (Accepted)	4-1-2020-5148105-81
12	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.09	수리 (Accepted)	4-1-2020-5153634-39

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