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기판, n형 질화물계 반도체층, 활성층, p형 질화물계 반도체층 및 금속전극을 포함하는 질화물계 발광소자에 있어서,
상기 기판 위의 n형 질화물계 반도체층과 p형 질화물계 반도체층 중 적어도 어느 하나의 반도체층 상부에 금속산화물의 나노입자층을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 금속산화물은 산화아연, 산화주석, 산화갈륨 및 산화인듐 중에서 선택되는 1종 이상의 금속산화물인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 금속산화물의 나노입자층은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브데니움(Mo), 실리콘(Si), 마그네슘(Mg), 저메니움(Ge), 인듐(In), 리튬(Li), 갈륨(Ga), 베릴륨(Be), 바나듐(V), 구리(Cu), 탄탈륨(Ta) 및 이들의 산화물로 구성된 그룹 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 금속산화물의 나노입자층의 구조는 반도체층에 대하여 수직 성장된 구조인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 금속산화물의 나노입자층의 나노입자 직경은 1 내지 1000nm, 길이는 1 내지 10㎛ 인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 금속산화물의 나노입자층의 가시광선 파장에서의 투과율이 60% 이상인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 금속산화물의 나노입자층의 하부에 상기 나노입자들을 전기적으로 연결하는 투명코팅층을 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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제 7 항에 있어서,
상기 투명코팅층은 전도성의 금속 및 투명전도성산화물 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자
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기판 위에 n형 질화물계 반도체층, 활성층, 및 p형 질화물계 반도체층을 순차로 형성하는 단계;
상기 n형 질화물계 반도체층의 일부를 외부로 노출하는 단계;
상기 노출된 n형 질화물계 반도체층 및 p형 질화물계 반도체층 중 적어도 어느 하나의 반도체층 상부에 금속산화물의 나노입자층을 형성하는 단계; 및
상기 n형 질화물계 반도체층과 p형 질화물계 반도체층과 각각 연결된 금속전극을 형성하는 단계를 포함하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 금속산화물의 나노입자층을 형성한 후 상기 나노입자들을 전기적으로 연결하는 투명코팅층을 형성하는 단계를 더 추가하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 금속산화물의 나노입자층을 형성한 후 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브데니움(Mo), 실리콘(Si), 마그네슘(Mg), 저메니움(Ge), 인듐(In), 리튬(Li), 갈륨(Ga), 베릴륨(Be), 바나듐(V), 구리(Cu), 탄탈륨(Ta) 및 이들의 산화물로 구성된 그룹 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 주입하는 단계를 더 추가하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,
상기 금속산화물의 나노입자층은 유기금속화학증착법 또는 스퍼터링법 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,
상기 유기금속화학증착법을 사용할 경우 증착시 유입되는 반응기체의 유입량, 증착 온도, 압력 및 반응시간을 달리하여 상기 금속산화물의 나노입자층의 나노입자 형태를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,
상기 스퍼터링법을 사용할 경우에는 수소, 산소, 질소, 아르곤 또는 이들의 혼합물의 가스 유량, 챔버온도, 압력, 스퍼티링 시간을 달리하여 상기 금속산화물의 나노입자층의 나노입자 형태를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광소자의 제조방법
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