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초격자 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2015200401
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 질화물 반도체층으로 구성되는 질화물계 반도체 발광소자에 있어서, 특히 p형 질화물 반도체층 내에 초격자 구조를 가지는 다층의 p형 질화물 클래드층을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자를 제조함에 있어서, p형 반도체층 영역에 초격자(superlattice) 구조를 가지는 다층의 p형 질화물 클래드층을 포함함으로써 발광소자의 전기적 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 질화물, 반도체, 발광소자, 클래드층, p형, 활성층, 초격자
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/16 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01) H01L 33/0008(2013.01)
출원번호/일자 1020070123421 (2007.11.30)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0056319 (2009.06.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 진정근 대한민국 서울 동대문구
2 백종협 대한민국 대전 서구
3 이상헌 대한민국 부산 금정구
4 김상묵 대한민국 광주 서구
5 정탁 대한민국 광주 광산구
6 이승재 대한민국 전북 전주시 덕진구
7 전성란 대한민국 전북 전주시 덕진구
8 이진홍 대한민국 광주 북구
9 김강호 대한민국 광주 광산구
10 오화섭 대한민국 광주 광산구
11 유영문 대한민국 서울 관악구
12 염홍서 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0864916-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.18 수리 (Accepted) 9-1-2008-0061090-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0403033-53
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0728907-84
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0082789-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 질화물 반도체층, 활성층, p형 질화물 반도체층을 가지는 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 p형 질화물 반도체층 내에 초격자 구조를 가지는 다층의 p형 질화물 클래드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 p형 질화물 클래드층은 상기 p형 질화물 반도체층과 동일한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 p형 질화물 클래드층은 도핑되지 않거나 또는 상기 p형 질화물 반도체층의 도핑농도의 오차범위 10% 이내로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 다층의 p형 질화물 클래드층은 p형 불순물의 도핑농도가 층마다 서로 상이한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
5 5
제 1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 질화물은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 질화인듐(InN), 질화인듐갈륨(InxGa1-xN, 0 003c# x 003c# 1), 질화알루미늄갈륨(AlyGa1-yN, 0 003c# y 003c# 1)로 구성된 그룹 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.