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수직형 발광 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015200402
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직형 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로 제 1기판의 상부에 패터닝 된 접합물질 및 본딩금속을 적층하여 형성한 제 1반도체부와 제 2기판의 상부에 발광 소자 및 본딩금속을 적층하여 형성한 제 2반도체부의 각 본딩금속을 접합한 후 상기 제 2기판, 접합물질 및 제 1기판을 제거하여 발광 소자 칩을 형성한다. 본 발명에 의하면 수직형 발광 소자 제조시 기판 간의 열팽창 계수의 차이로 인한 기판의 휘어짐을 방지하고, 기판 접합에 사용되는 기판을 제거함으로써 질화갈륨(GaN)만으로 구성된 수직형 발광 소자를 제조하여 고휘도의 수직형 발광 소자를 제조할 수 있다. 수직형 발광 소자, 사파이어기판, 패터닝된 접합물질
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020070117857 (2007.11.19)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0051456 (2009.05.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김강호 대한민국 광주 광산구
2 이진홍 대한민국 광주 북구
3 오화섭 대한민국 광주 광산구
4 이승재 대한민국 전북 전주시 덕진구
5 이상헌 대한민국 부산 금정구
6 백종협 대한민국 대전 서구
7 염홍서 대한민국 서울 마포구
8 유영문 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0827907-59
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0882990-52
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041756-25
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0088467-08
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0255050-00
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0315720-78
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0389606-38
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0458894-67
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0458898-49
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0487159-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 반도체부의 본딩금속과 제 2기판의 상부에 발광 소자 및 본딩금속을 적층하여 형성된 제 2반도체부의 본딩금속을 접합하는 단계; 상기 접합 후 상기 제 2기판, 접합물질 및 제 1반도체부의 기판을 제거하여 칩을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 발광 소자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1반도체부는, 제 1기판의 상부에 패터닝 된 접합물질 및 본딩금속을 순차적으로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 접합 물질은, 실리콘 계열 수지, 크롬 또는 타이타늄인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1기판 및 제 2기판은 동종 기판인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 발광 소자는, 발광 다이오드 상부에 투명 전도막 또는 고 반사막 금속, 부착금속, 장벽 금속 및 접합 금속으로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 또는 그 이상의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 발광 다이오드는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층으로 이루어진 질화갈륨계(GaN) 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자 제조 방법
7 7
제 1 항의 제조 방법을 이용하여 형성된 수직형 발광 다이오드 상부에 전극을 형성한 수직형 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.