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실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015200403
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법에 관한 것으로 실리콘 기판의 (1 -1 0)면 위에 산화막층 및 포토레지스트층을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하고, 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 트렌치를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 트렌치의 측면에 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 사파이어 기판 대신에 가격이 싼 실리콘 기판을 이용하여 무분극 질화갈륨(GaN)을 얻을 수 있기 때문에, 상기 무분극 질화갈륨을 사용하여 광소자를 제작할 때, 제작 단가를 절감할 수 있다. 실리콘 기판, 무분극, 질화갈륨(GaN)
Int. CL H01L 21/318 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020070117703 (2007.11.19)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0051355 (2009.05.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진홍 대한민국 광주 북구
2 김강호 대한민국 광주 광산구
3 오화섭 대한민국 광주 광산구
4 이승재 대한민국 전북 전주시 덕진구
5 백종협 대한민국 대전 서구
6 유영문 대한민국 서울 관악구
7 김상묵 대한민국 광주 서구
8 이상헌 대한민국 부산 금정구
9 정탁 대한민국 광주 광산구
10 진정근 대한민국 서울 동대문구
11 염홍서 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0826571-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0072047-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0116024-98
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0296621-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0296622-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0379767-37
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0681623-87
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0765340-19
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0765341-54
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0523041-00
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판의 (1 -1 0)면 위에 산화막층 및 포토레지스트층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 트렌치의 측면에 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계를 포함하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계는, (1 1 -2)방향으로 마스크를 이용하여 포토 공정 및 에칭 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 트렌츠의 측면은 (1 1 1) 방향과 (-1 -1 -1)방향인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 산화막층은 이산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계는, 화학적 성장법에 의해 선택적으로 질화갈륨(GaN)을 성장하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.