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반도체 발광 소자에 있어서,
다수의 홀을 포함하는 투명 전극층; 및
상기 홀의 내부를 충진하고, 상기 투명 전극층 상부에 형성된 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 투명 전극층은 금속 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 금속 산화물은
산화아연, 산화주석, 산화갈륨, 산화 알루미늄 및 산화 인듐으로 구성된 그룹에서 선택되는 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 홀은 정사각형, 직사각형, 다각형 또는 원형으로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 또는 그 이상의 패턴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 반사층은 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 및 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 또는 하나 이상의 금속으로 형성되는 것을 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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6
발광 소자 제조 방법에 있어서,
n형 또는 p형으로 도핑 된 반도체층의 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계;
상기 투명 전극층에 하나 이상의 홀을 형성하는 단계; 및
상기 홀의 내부 및 투명 전극층의 상부에 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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7
제 6 항에 있어서,
상기 투명 전극층은 전자빔 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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8
제 7 항에 있어서,
상기 스퍼터링 방법은 아르곤 가스, 5mTorr의 스퍼트 압력, 90W~150W의 투입전력 및 상온의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서,
상기 홀은 리프트 오프법(lift-off)을 통해 패터닝 되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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10
제 6 항에 있어서,
상기 홀의 간격은 1㎛ 이상 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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11
제 6 항에 있어서,
상기 홀의 지름은 1㎛ 이상 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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12
제 6 항에 있어서, 상기 홀을 형성하는 단계는,
상기 투명 전극층은 질소분위기에서 열처리를 통해 패턴 된 홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서,
상기 투명 전극층의 두께는 1㎚ 이상 1000㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서,
상기 투명 전극층은 1*10-3Ω㎝이하의 비저항, 85% 이상의 광선투과율 및 1*1019㎝이상의 캐리어 농도를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서,
상기 반사층은 1*10-5Ω㎝이하의 비저항 및 70% 이상의 광선반사율을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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기판, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층으로 형성된 발광 소자의 상부에 패터닝하여 형성된 하나 이상의 홀을 포함하는 투명 전극층을 적층하는 단계;
상기 투명 전극층의 상부에 반사층을 적층하는 단계;
상기 반사층의 상부에 보호층과 p형 전극을 적층하는 단계; 및
상기 전극 적층 후, 상기 활성층 또는 상기 n형 반도체층의 일부까지 식각하고, 식각 된 저면에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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