맞춤기술찾기

이전대상기술

질화물계 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015200405
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패턴화된 유전체 막이 증착되어 있는 기판 상에 질화물 박막층을 성장시킴으로써, 박막층 내의 결정결함과 응력이 최소화되는 질화물계 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 실리콘 기판, 소정의 형상으로 패턴화된 유전체 막으로서, 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 유전체 막, 및 상기 패턴화된 유전체 막이 형성된 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 질화물 박막층을 포함하는 질화물계 발광소자 및 그 제조방법이 제공된다. 실리콘 기판, 갈륨 질화물, 유전체 막, 결함, 응력
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/02 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020070114367 (2007.11.09)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0048138 (2009.05.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.09)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이승재 대한민국 전북 전주시 덕진구
2 백종협 대한민국 대전 서구
3 이상헌 대한민국 부산 금정구
4 김윤석 대한민국 서울시 강북구
5 김상묵 대한민국 광주시 서구
6 진정근 대한민국 경기도 군포시
7 유영문 대한민국 서울 관악구
8 염홍서 대한민국 서울 마포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0806135-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051171-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0214838-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0444510-89
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0444507-41
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0472491-46
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0031588-77
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0085965-22
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판; 소정의 형상으로 패턴화된 유전체 막으로서, 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 유전체 막; 및 상기 패턴화된 유전체 막이 형성된 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 질화물 박막층을 포함하는 질화물계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 패턴의 형상은 원 또는 다각형인, 질화물계 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 질화물 박막층의 조성은 InxGayAlzN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1)인, 질화물계 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 질화물 박막층은 단층 또는 2층 이상의 복층으로 구성되는, 질화물계 발광소자
5 5
실리콘 기판 상에 형성되는 유전체 막을 패턴화하는 단계; 및 패턴화된 상기 유전체 막이 형성된 상기 실리콘 기판 상에 질화물 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 질화물계 발광소자의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 유전체 막을 패턴화하는 단계는, 상기 실리콘 기판 상에 유전체 막을 증착하는 단계; 상기 유전체 막 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트에 소정 패턴을 형성하여 마스크 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 유전체 막에 있어서, 그 위에 상기 마스크 포토레지스트가 코팅되지 않은 부분을 제거하는 단계; 및 상기 마스크 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는, 질화물계 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.