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하면에 텍스처링 구조를 형성하고, 서로 다른 타입의 반도체층 및 활성층을 포함하고, 역메사 구조 또는 메사 구조를 갖는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드 상부에 적층되며, 전극 및 반사막으로 구성된 오믹 컨택층;
상기 오믹 컨택층을 내부에 포함하며, 시드 금속층 및 도전 접착층으로 구성된 본딩 금속층; 및
상기 본딩 금속층의 상부에 적층되며, 내부에 금속으로 충진 된 비아홀을 포함하는 세라믹 기판을 포함하는 수직형 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 발광 다이오드는
측면에 보호 박막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드 패키지
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제 2항에 있어서, 상기 보호 박막층은
실리콘 옥사이드(SiO2) 또는 실리콘 나이트라이드(Si3N4)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 반사성 오믹 컨택층은
인듐주석산화물(ITO), 인듐 산화물, 주석 산화물, 실리콘옷사이드(SiO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh) 및 이리듐(Ir) 중 선택되는 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드 패키지
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5
제 1항에 있어서, 상기 비아홀은
구리(Cu), 동탄(CuW), 알루미늄(Al), 금(Au) 및 은(Ag) 중 선택되는 하나 이상의 금속으로 충진되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 시드 금속층은
은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 탄탈륨(Ta), 구리(Cu), 텅스텐(W), 텅스텐티타늄 합금(WTi) 및 몰리부덴(Mo) 중 선택되는 하나 이상의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드
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7
제 1항에 있어서, 상기 도전성 접착층은
필라듐인듐화합물(Pd/In), 팔라듐주석화합물(Pd/Sn), 금주석화합물(Au-Sn), 주석(Sn), 인듐(In), 금(Au), 팔라듐금화합물(Pd/Au) 및 납주석화합물(Pb-Sn) 중 선택되는 하나 이상의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드
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8
제 1항에 있어서, 상기 세라믹 기판은
질화붕소(BN), 알루미나(Alumina), 질화알루미늄(AlN), 베릴륨 옥사이드(BeO) 및 글라스 세라믹(glass ceramic) 중 선택되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드 패키지
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기판 및 반도체층을 포함하는 발광 다이오드의 상부에 전극 및 반사막으로 형성된 오믹 컨택층을 적층하는 단계;
상기 오믹 컨택층을 내부에 포함하여, 시드 금속층 및 도전성 접착층으로 형성되는 본딩 금속층을 적층하는 단계;
상기 본딩 금속층의 상부에 금속으로 충진 된 비아홀을 포함하는 세라믹 기판을 적층하는 단계;
상기 기판을 제거하고, 상기 반도체층을 트렌치형으로 식각하여 개별 발광 소자를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드 패키지 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 개별 발광 소자를 생성한 후,
상기 개별 발광 소자의 측면에 보호 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드 패키지 제조방법
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11
제 9항에 있어서, 상기 개별 발광 소자의 하부에 노출된 반도체층은 텍스처링 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드 패키지 제조방법
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12
제 11항에 있어서, 상기 텍스처링 구조는
나노 임프린팅법, 리소그래피법 및 레이저 홀로그라피법 중 선택되는 하나의 방법으로 패터닝 후 건식 식각을 통해 형성하거나 습식 화학 에칭법을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 다이오드 패키지 제조방법
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