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차례로 위치하는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광구조체; 및
상기 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 위치하여 상기 발광구조체의 하부면을 노출시키고, 실리콘 고분자막인 봉지층을 구비하는 절연보호층을 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,
상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층에 각각 전기적으로 접속하고 상기 발광구조체의 하부면 양측에서 상기 발광구조체에서 멀어지는 방향으로 각각 연장되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하되, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 상기 발광구조체에서 멀어지는 방향으로 연장된 부분들은 외부로 노출되는 발광다이오드
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제1항에 있어서,
상기 절연 보호층은 형광체를 함유하는 발광다이오드
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 절연 보호층은 봉지층과 상기 발광구조체 사이에 위치하는 패시베이션층을 더 포함하는 발광다이오드
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제5항에 있어서,
상기 패시베이션층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, BPSG(Boro-phospho Silicate Glass)막, SOG(Spin On Glass)막, BCB(BenzoCycloButene)막, 또는 PI(Poly Imide)막인 발광다이오드
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7
삭제
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8
제1항에 있어서,
상기 절연 보호층은 그의 표면 내에 요철구조를 구비하는 발광다이오드
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9
베이스 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광구조체를 형성하는 단계;
상기 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 실리콘 고분자층인 봉지층을 구비하는 절연 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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10
제9항에 있어서,
상기 절연 보호층을 형성하기 전에,
상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층에 각각 전기적으로 접속하고, 상기 발광구조체의 하부면 양측의 상기 베이스 기판 상에서 상기 발광구조체에서 멀어지는 방향으로 연장된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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11
제9항에 있어서,
상기 절연 보호층의 표면 내에 요철구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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12
제1항에 있어서,
상기 발광구조체는 복수 개로 구비되어 서로 이격되어 위치하고;
상기 절연 보호층은 상기 각 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 위치하여 상기 복수 개의 발광구조체들을 서로 연결하는 발광다이오드
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13
제9항에 있어서,
상기 베이스 기판 상에 상기 발광구조체가 복수 개로 형성되고;
상기 절연 보호층은 상기 각 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 형성되어 상기 복수 개의 발광구조체들을 서로 연결하는 발광다이오드 제조방법
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