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1
패키지 기판;
상기 패키지 기판 상에 배치되고, 소자 전극을 구비하는 발광다이오드 칩; 및
상기 발광다이오드 칩 상에 위치하여 상기 발광다이오드 칩을 봉지하며, 상기 소자 전극에 전기적으로 연결된 광투과성 전도성 패턴을 구비하는 광투과성 기판을 포함하는 발광다이오드 패키지
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2
제1항에 있어서,
상기 패키지 기판 상에 위치하는 본딩 패드를 더 포함하고,
상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 본딩 패드와 상기 소자 전극을 전기적으로 연결하는 발광다이오드 패키지
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3
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩은 수직형 칩이고, 상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 광투과성 기판의 일면 전체에 형성된 발광다이오드 패키지
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4
제1항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩은 제1 소자 전극 및 제2 소자 전극을 구비하고,
상기 광투과성 기판은 상기 제1 소자 전극 및 상기 제2 소자 전극에 각각 연결된 제1 광투과성 전도성 패턴 및 제2 광투과성 전도성 패턴을 구비하는 발광다이오드 패키지
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5
제1항에 있어서,
상기 광투과성 전도성 패턴은 ITO막, IO막, ZO막 또는 CNT막인 발광다이오드 패키지
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6
제1항에 있어서,
상기 소자 전극과 상기 광투과성 전도성 패턴 사이에 위치하는 광투과성 전도성 접착제를 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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7
제1항에 있어서,
상기 패키지 기판 상에 위치하고, 상기 발광다이오드 칩을 노출시키는 캐비티를 구비하는 하우징을 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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8
제7항에 있어서,
상기 패키지 기판 상에 위치하는 본딩 패드; 및
상기 캐비티의 측벽 상에 위치하고 상기 본딩 패드와 상기 광투과성 전도성 패턴을 전기적으로 연결하는 연결 전극을 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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9
제1항에 있어서,
상기 광투과성 기판의 상부면 상에 위치하고 형광체를 고정하는 코팅막을 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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10
패키지 기판 상에 소자 전극을 구비하는 발광다이오드 칩을 배치하는 단계; 및
상기 발광다이오드 칩 상에 광투과성 전도성 패턴을 구비하는 광투과성 기판을 위치시켜, 상기 소자 전극과 상기 광투과성 전도성 패턴을 전기적으로 연결하면서 상기 발광다이오드 칩을 봉지하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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11
제10항에 있어서,
상기 패키지 기판 상에 본딩 패드가 위치하고, 상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 본딩 패드와 상기 소자 전극을 전기적으로 연결하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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12
제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩은 수직형 칩이고, 상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 광투과성 기판의 일면 전체에 형성된 발광다이오드 패키지 제조방법
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13
제10항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩은 제1 소자 전극 및 제2 소자 전극을 구비하고, 상기 광투과성 기판은 제1 광투과성 전도성 패턴 및 제2 광투과성 전도성 패턴을 구비하고, 상기 제1 및 제2 소자 전극들을 상기 제1 및 제2 광투과성 전도성 패턴들과 각각 전기적으로 연결되는 발광다이오드 패키지 제조방법
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14
제10항에 있어서,
상기 소자 전극과 상기 광투과성 전도성 패턴 사이에 위치하는 광투과성 전도성 접착제를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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15
제10항에 있어서,
상기 패키지 기판 상에 상기 발광다이오드 칩을 배치하기 전에, 상기 패키지 기판 상에 캐비티를 구비하는 하우징을 설치하는 단계를 더 포함하고,
상기 발광다이오드 칩은 상기 캐비티 내에 배치하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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16
제15항에 있어서,
상기 패키지 기판 상에 본딩 패드가 위치하고, 상기 하우징은 상기 캐비티의 측벽에 형성된 연결전극을 구비하고,
상기 하우징을 설치할 때 상기 연결전극은 상기 본딩 패드와 전기적으로 접속하도록 배치되고, 상기 광투과성 기판을 설치할 때 상기 광투과성 전도성 패턴은 상기 연결전극과 상기 소자 전극에 전기적으로 접속하도록 배치하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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17
제10항에 있어서,
상기 광투과성 기판의 상부면 상에 졸-겔 용액을 도포하는 단계; 및
상기 졸-겔 용액이 도포된 광투과성 기판의 상부면 상에 형광체를 도포하여 상기 졸-겔 용액의 졸-겔 반응에 의해 상기 형광체가 고정된 코팅막을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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18
제4항에 있어서,
상기 패키지 기판 상에 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드가 위치하고,
상기 제1 광투과성 전도성 패턴은 상기 제1 본딩 패드와 상기 제1 소자 전극을 전기적으로 연결하고,
상기 제2 광투과성 전도성 패턴은 상기 제2 본딩 패드와 상기 제2 소자 전극을 전기적으로 연결하는 발광다이오드 패키지
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19
제13항에 있어서,
상기 패키지 기판 상에 제1 본딩 패드 및 제2 본딩 패드가 위치하고,
상기 제1 광투과성 전도성 패턴은 상기 제1 본딩 패드와 상기 제1 소자 전극을 전기적으로 연결하고,
상기 제2 광투과성 전도성 패턴은 상기 제2 본딩 패드와 상기 제2 소자 전극을 전기적으로 연결하는 발광다이오드 패키지의 제조방법
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