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다중 영역 반도체 레이저 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200422
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중 영역 반도체 레이저 및 그의 제조방법에 관한 것으로 제조 공정 시 두 개의 이산화 실리콘 마스크(SiO2)를 이용한 선택 영역 성장 기술을 사용하여 반도체 레이저의 PL peak를 조절함으로써 회절격자 형성 공정을 한번 수행하여 테라헤르츠파를 발생할 수 있다. 본 발명에 의하면, 어려운 공정인 회절 격자 형성 공정의 횟수를 줄임으로써 공정이 간단해지고 그에 따른 테라헤르츠파 발생 반도체 레이저의 수율을 향상시키며, 모드 비팅에 따른 안정적인 테라헤르츠파를 생성할 수 있다. 테라헤르츠파, 이산화실리콘 마스크, 선택영역 성장방법
Int. CL H01S 5/12 (2015.01.01) H01L 21/203 (2006.01.01) G02B 5/18 (2006.01.01)
CPC H01S 5/1231(2013.01) H01S 5/1231(2013.01) H01S 5/1231(2013.01) H01S 5/1231(2013.01)
출원번호/일자 1020080124179 (2008.12.08)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1009408-0000 (2011.01.12)
공개번호/일자 10-2010-0065707 (2010.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20110119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 기현철 대한민국 광주광역시 북구
2 김선훈 대한민국 광주 서구
3 김효진 대한민국 광주 광산구
4 고항주 대한민국 광주광역시 북구
5 김회종 대한민국 광주광역시 광산구
6 양명학 대한민국 전라남도 나주시 다시면

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0844697-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0057119-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0193915-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0379705-95
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0379701-13
7 등록결정서
Decision to grant
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0545952-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부에 버퍼층, 회절격자층, 캡층, 및 포토레지스트층이 순차적으로 적층되는 단계; 상기 포토레지스트층을 패턴화하여 식각하는 단계; 상기 식각된 포토레지스트 층을 마스크로 사용하여 캡층 및 회절격자층을 식각한 후 상기 포토레지스트 층을 제거하는 단계; 상기 식각된 캡층 및 회절격자층과 노출된 버퍼층의 소정 부분에 두 개의 선택 영역 성장용 마스크를 형성하는 단계; 상기 선택 영역 성장용 마스크, 캡층, 및 노출된 버퍼층의 상부에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 선택 영역 성장용 마스크가 형성되지 않은 부분 중 소정 부분에 상기 버퍼층, 회절격자층, 캡층, 및 활성층을 식각하여 위상 변조 영역을 형성하는 단계; 를 포함하는 테라헤르츠 파를 발생하는 다중 영역 반도체 레이저 제조방법
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 두 개의 선택 영역 성장용 마스크를 형성하는 단계에서, 상기 두 개 선택 영역 성장용 마스크 사이 간격(gap) 및 각각의 상기 선택 영역 성장용 마스크의 폭을 제어하여 PL 피크(peak)를 제어하는 것으로 하는 테라헤르츠 파를 발생하는 다중 영역 반도체 레이저 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 선택성장용 마스크는 이산화 실리콘(SiO2)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 파를 발생하는 다중 영역 반도체 레이저 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.