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베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치된 전류차단층; 및
상기 전류차단층 상에 서로 이격하여 위치하는 다수 개의 단위 셀들을 포함하며,
상기 각 단위 셀은 상기 전류차단층 상에 차례로 배치된 제1형 반도체층, 광전변환층 및 제2형 반도체층을 구비하고,
상기 단위 셀들 사이의 상기 전류차단층이 노출되는 단위 수광소자를 포함하는 수광소자 어레이
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2
제 1 항에 있어서,
상기 전류차단층은 반절연층인 수광소자 어레이
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3
제 2 항에 있어서,
상기 반절연층은 GaAs층 또는 InP층인 수광소자 어레이
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4
제 1 항에 있어서,
상기 단위 수광소자들의 적어도 측벽들 상에 배치된 보호층을 더 포함하는 수광소자 어레이
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5
제 1 항에 있어서,
상기 단위 셀은 상기 단위 수광소자를 둘러싸는 측벽 구조체를 포함하는 수광소자 어레이
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6
제 5 항에 있어서,
상기 단위 수광소자들의 적어도 측벽들, 상기 측벽 구조체의 측벽들 및 상기 측벽 구조체의 상부면 상에 배치된 보호층을 더 포함하는 수광소자 어레이
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7
베이스 기판 상에 전류차단층을 형성하는 단계;
상기 전류차단층 상에 차례로 제1형 반도체층, 광전변환층 및 제2형 반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 제2형 반도체층, 광전변환층 및 제1형 반도체층을 차례로 패터닝하여 상기 전류차단층 상에 위치하고 서로 분리된 단위 셀들을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 각 단위 셀은 단위 수광소자를 구비하는 수광소자 어레이 제조방법
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8
제 7 항에 있어서,
상기 분리된 단위 셀들을 형성하는 단계는 상기 제2형 반도체층, 광전변환층 및 제1형 반도체층을 차례로 제1 패터닝하여 단위 수광소자들 및 단위 수광소자들을 둘러싸는 측벽 구조체들을 형성하는 단계; 및
상기 측벽 구조체들을 제2 패터닝하여 단위 셀들 별로 분리하는 단계를 포함하는 수광소자 어레이 제조방법
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9
제 8 항에 있어서,
상기 분리된 단위 셀들을 형성한 후에,
상기 단위 수광소자들의 적어도 측벽들, 상기 측벽 구조체의 측벽들 및 상기 측벽 구조체의 상부면 상에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 수광소자 어레이 제조방법
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