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실리케이트 형광체 표면 처리방법 및 발광소자

  • 기술번호 : KST2015200425
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리케이트 형광체 표면 처리방법 및 발광소자를 제공한다. 상기 실리케이트 형광체 표면 처리방법은 실리케이트 형광체의 표면 불순물을 제거하는 단계 및 상기 표면 불순물이 제거된 형광체를 열처리하는 단계를 포함한다. 상기 발광소자는 상기 실리케이트 형광체 표면 처리방법에 의해 제조된 실리케이트 형광체를 구비한다.
Int. CL H01L 33/50 (2010.01.01) H01L 33/56 (2010.01.01)
CPC H01L 33/502(2013.01) H01L 33/502(2013.01)
출원번호/일자 1020080122543 (2008.12.04)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0064113 (2010.06.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재필 대한민국 광주광역시 광산구
2 심재민 대한민국 전라북도 정읍시
3 송상빈 대한민국 광주광역시 광산구
4 김왕기 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0837260-31
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0851968-76
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2008.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0134170-79
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0855003-36
5 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2008.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0854996-69
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2008.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0134566-45
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0045048-60
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0436498-45
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0566255-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리케이트 형광체의 표면 불순물을 제거하는 단계; 및 상기 표면 불순물이 제거된 형광체를 열처리하는 단계를 포함하는 실리케이트 형광체 표면 처리 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 표면 불순물을 제거하는 단계는 상기 형광체를 수용액 내에 침지시키는 단계인 실리케이트 형광체 표면 처리 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 수용액은 중성의 물인 실리케이트 형광체 표면 처리 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 표면 불순물이 제거된 형광체를 상기 열처리하기 전에 알코올 용액 내에 침지시키는 단계를 더 포함하는 실리케이트 형광체 표면 처리 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 실리케이트 형광체는 스트론튬 실리케이트계 형광체, 바륨 실리케이트계 형광체 또는 스트론튬 바륨 실리케이트계 형광체인 실리케이트 형광체 표면 처리방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 열처리는 380℃ 이하에서 수행하는 실리케이트 형광체 표면 처리방법
7 7
발광다이오드 칩; 및 상기 발광다이오드 칩을 덮고, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 실리케이트 형광체를 구비하는 봉지층를 포함하는 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.