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애벌란치 포토 다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200426
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 애벌란치 포토 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판, 버퍼층, 광 흡수층, 그래이딩층, 필드제어층, 및 증폭층을 순차적으로 형성하고, 증폭층의 내부에 식각을 방지하는 식각중지층을 삽입함으로써, 증폭층 식각 시 원하는 깊이까지 정확하게 재현할 수 있다. 애벌란치 포토 다이오드(APD), 식각중지층
Int. CL H01L 31/107 (2006.01.01) H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1020080124178 (2008.12.08)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1080882-0000 (2011.11.01)
공개번호/일자 10-2010-0065706 (2010.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20111108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선훈 대한민국 광주 서구
2 기현철 대한민국 광주광역시 북구
3 김효진 대한민국 광주 광산구
4 고항주 대한민국 광주광역시 북구
5 김회종 대한민국 광주광역시 광산구
6 김태언 대한민국 전라남도 나주시 세지

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0844696-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011842-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0313668-15
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0606359-59
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0670411-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0670413-62
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0093377-63
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0248778-13
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0248779-58
11 등록결정서
Decision to grant
2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0614390-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 버퍼층, 광 흡수층, 그래이딩층, 필드 제어층, 및 제 1증폭층이 순차적으로 적층되는 애벌란치 포토다이오드(Avalanche Photodiode)에 있어서, 상기 제 1증폭층의 상부에 형성되어 식각을 방지하며, 인듐갈륨비소(InGaAs)를 이용하여 0
2 2
삭제
3 3
제 1항의 애벌란치 포토 다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 기판의 상부에 광 흡수층, 그래이딩층, 버퍼층, 및 증폭층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 증폭층의 내에 식각 중지층을 삽입 형성하는 단계; 및 상기 증폭층의 상부에 패턴을 형성하여 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 애벌란치 포토 다이오드 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 식각 중지층을 형성하는 단계는, 상기 증폭층의 상부로부터 상기 증폭층의 식각 깊이에 따라 형성되는 위치가 가변되는 것을 특징으로 하는 애벌란치 포토 다이오드 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 3항에 있어서, 상기 식각하는 단계에서, 포토레지스트 또는 이산화 실리콘 마스크를 사용하여 상기 패턴을 형성하고, 습식 식각법을 통해 식각하는 것을 특징으로 하는 애벌란치 포토 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.