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다채널 표면 방출 레이저 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015200427
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다채널 표면 방출 레이저 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 일반적인 기판에 에피 성장 과정을 통해 버퍼층, 반절연층, 제 1반도체층, 제 1반사층, 활성층, 제 2반사층, 및 제 2반도체층 등을 적층하고, 반절연층까지 식각하여 다채널을 형성할 수 있는 단위 셀을 구분하여, 각각의 단위셀 마다 전기적으로 절연한 후 하나의 단위 셀에 표면 방출 레이저를 구현한다. 본 발명에 의하면, 반절연층을 사용함으로써 하나의 기판에 다채널의 표면 방출 레이저를 형성하며, 이에 따라 크로스-토크 현상을 방지하고, 공정 비용을 절감하는 효과를 가져온다. 표면 방출 레이저(VCSEL), 반절연층
Int. CL H01S 5/183 (2015.01.01)
CPC H01S 5/18305(2013.01) H01S 5/18305(2013.01) H01S 5/18305(2013.01) H01S 5/18305(2013.01)
출원번호/일자 1020080126583 (2008.12.12)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0067961 (2010.06.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선훈 대한민국 광주 서구
2 기현철 대한민국 광주광역시 북구
3 김효진 대한민국 광주 광산구
4 고항주 대한민국 광주광역시 북구
5 김회종 대한민국 광주광역시 광산구
6 안수창 대한민국 광주광역시 북구
7 김태언 대한민국 전라남도 나주시 세지

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0857184-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0063071-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0195589-60
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0442848-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0495597-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0495598-83
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0587562-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부에 순차적으로 적층되는 버퍼층 및 반절연층; 상기 반절연층의 상부에 서로 이격하여 위치하는 다수의 단위 셀을 포함하되, 상기 각 단위 셀은 제 1반도체층, 제 1반사층, 활성층, 제 2반사층, 및 제 2반도체층이 순차적으로 적층되고, 상기 제 1반도체층이 노출되도록 메사 식각된 단위셀의 상부에 도포되는 보호층; 상기 제 1반도체층의 상부에 도포된 상기 보호층의 소정부분을 식각하여 드러난 제 1반도체층과 전기적으로 연결하는 제 1전극; 및 상기 제 2반도체층의 상부에 도포된 상기 보호층의 소정부분을 식각하여 드러난 제 2반도체층과 전기적으로 연결하는 제 2전극;을 구비하는 표면 방출 레이저를 포함하는 다채널 표면 방출 레이저
2 2
제 1항에 있어서, 둘 이상의 상기 단위 셀 사이는 유전체 물질로 충진되는 것을 특징으로 하는 다채널 표면 방출 레이저
3 3
제 2항에 있어서, 상기 유전체 물질은 폴리이미드 또는 BCB 인 것을 특징으로 하는 다채널 표면 방출 레이저
4 4
기판, 버퍼층, 반절연층, 제 1반도체층, 제 1반사층, 활성층, 제 2반사층, 및 제 2반도체층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 버퍼층 또는 반절연층이 노출되도록 메사 식각을 실행하여 적어도 하나 이상의 단위 셀을 형성하는 단계; 상기 단위 셀 각각에 메사 식각을 실행하여 홈을 형성하는 단계; 상기 메사 식각이 이루어진 단위 셀의 상부에 보호막을 적층하는 단계; 상기 홈의 하부면의 소정 부분을 식각하여 제 1반도체층을 노출시키고, 상기 식각된 부분에 제 1전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 2반도체층의 상부에 적층된 보호막의 소정 부분을 식각하고, 상기 식각된 부분 제 2전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다채널 표면 방출 레이저 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서, 제 2전극을 형성한 후, 상기 홈 및 단위 셀의 측면에 유전체 물질을 충진하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다채널 표면 방출 레이저 제조 방법
6 6
기판, 버퍼층, 반절연층, 제 1반도체층, 제 1반사층, 활성층, 제 2반사층, 및 제 2반도체층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 버퍼층 또는 반절연층이 노출되도록 메사 식각을 실행하여 적어도 하나 이상의 단위 셀을 형성하고, 형성된 각각의 상기 단위 셀에 홈을 형성하는 단계; 상기 메사 식각이 이루어진 단위 셀의 상부에 보호막을 적층하는 단계; 상기 메사 식각이 이루어진 단위 셀의 측면 및 상기 홈에 유전체 물질을 충진하는 단계; 상기 홈에 충진된 유전체 물질과 상기 홈에 충진된 유전체 물질의 하부면에 형성된 보호막의 소정 부분을 식각하여 제 1반도체층을 노출시키고, 상기 식각된 부분에 제 1전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 2반도체층의 상부에 적층된 보호막의 소정 부분을 식각하고, 상기 식각된 부분 제 2전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다채널 표면 방출 레이저 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.