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ZnO계 화합물 반도체 기판의 결함을 감소하는 방법

  • 기술번호 : KST2015200428
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO계 화합물 반도체 기판의 결함을 감소하는 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, ZnO계 화합물 반도체 기판을 800 ~ 1100℃의 온도범위에서, 산소분위기 하에서 열처리하는 것을 특징으로 한다. ZnO, 반도체 기판, 열처리, 결정성
Int. CL H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020080118138 (2008.11.26)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0059386 (2010.06.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한명수 대한민국 광주 광산구
2 안수창 대한민국 광주광역시 북구
3 박영식 대한민국 광주광역시 북구
4 고항주 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0815892-61
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0850713-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0002449-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0413043-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0743995-02
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0743993-11
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0282743-59
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0577101-52
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0577100-17
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0054863-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZnO계 화합물 반도체 기판을 800 ~ 1100℃의 온도범위에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 화합물 반도체 기판의 결함 감소 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 ZnO계 화합물 반도체 기판은 ZnO, ZnO/Al2O3, ZnMgO/Al2O3, ZnCdO/Al2O3, ZnBeO/Al2O3, ZnO/GaN, ZnO/SiC 및 ZnO/GaAs 으로 구성된 그룹에서 선택된 어느 하나의 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 ZnO계 화합물 반도체 기판의 결함 감소 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 산소의 분위기하에서 실행하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 화합물 반도체 기판의 결함 감소 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 열처리는 산소가 포함된 혼합가스의 분위기하에서 실행하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 화합물 반도체 기판의 결함 감소 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 혼합가스는 수소, 질소, 아르곤 및 오존으로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 화합물 반도체 기판의 결함 감소 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.