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발광 다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200429
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 제조방법에 관한 것으로 상부 클래드층에 인접한 부분에 AlInP과 u-AlGaInP 등으로 형성된 초격자(super-lattice) 구조를 포함하는 활성층을 형성하고, 다중 양자 장벽(MQW) 구조로 형성된 상부 클래드층을 형성한다. 본 발명에 의하면, 다중 양자 장벽 구조에 의해 전자들이 상부 클래드층으로 넘치는 현상(overflowing)을 억제하고, 초격자 구조에 의해 활성층으로 유입되는 홀(hole)의 효율을 향상시켜 전체적이 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시킨다. SL구조, MQB 구조, 활성층, 클래드층
Int. CL H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/30 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1020080128671 (2008.12.17)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1055695-0000 (2011.08.03)
공개번호/일자 10-2010-0070074 (2010.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20110811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.17)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
2 이진홍 대한민국 광주광역시 북구
3 김강호 대한민국 광주광역시 광산구
4 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
5 백종협 대한민국 대전광역시 서구
6 전성란 대한민국 광주광역시 광산구
7 김상묵 대한민국 광주시 서구
8 이상헌 대한민국 부산광역시 금정구
9 정 탁 대한민국 광주광역시 광산구
10 진정근 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0867686-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065511-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0498069-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0805280-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0806043-73
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0412073-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
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기판, 버퍼층, 제 1클래드층, 활성층, 및 제 2클래드층이 순차적으로 적층된 발광 다이오드 제조방법에 있어서, n-AlInP로 형성되는 제 1클래드층; 상기 제 1클래드층 상부에 양자우물 구조로 형성되되, 제 2클래드층에 인접하는 배리어(Barrier)층에 형성되는 초격자 구조(super-lattice)를 구비하는 활성층; 및 상기 활성층 상에 p-AlInp로 형성되되, 상기 활성층과 인접하는 소정영역에 다중 양자 장벽구조(MQB)를 구비하는 제 2클래드층;을 포함하되, 상기 활성층이 구비하는 양자우물 구조는, u-GaInP/u-Al0
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.