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형광체를 포함하는 발광다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200437
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 형광체를 포함하는 발광다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다. 발광 다이오드는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체, 상기 발광 구조체의 측면 상에 배치된 측면 형광 패턴층 및 상기 발광 구조체의 광방출면 상에 배치되고 상기 측면 형광 패턴층과 분리된 상부 형광 패턴층을 포함한다. 또한, 발광 다이오드의 제조방법은 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체를 형성하는 단계, 상기 발광 구조체의 광방출면 상에 측면 형광 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 발광 구조체 상에 상부 형광 패턴층을 형성하는 단계를 포함한다. 발광 다이오드, 형광체, 측면 형광 패턴층, 상부 형광 패턴층
Int. CL H01L 33/50 (2010.01.01) H01L 33/44 (2010.01.01)
CPC H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01)
출원번호/일자 1020080119962 (2008.11.28)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1019301-0000 (2011.02.24)
공개번호/일자 10-2010-0061081 (2010.06.07) 문서열기
공고번호/일자 (20110307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 이광철 대한민국 광주광역시 북구
4 강정인 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0824395-92
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0364293-71
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0677779-64
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0677815-10
5 등록결정서
Decision to grant
2011.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0104026-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
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4 4
기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광 구조체를 형성하는 단계; 상기 발광 구조체 상에 형광층을 형성한 후, 상기 형광층을 에치백하거나 포토리소그래피법으로 패터닝하여 측면 형광 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 발광 구조체의 광방출면 상에 상부 형광 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법
5 5
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6 6
제 4 항에 있어서, 상기 형광층은 스핀코팅을 사용하여 형성하는 발광 다이오드 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 상부 형광 패턴층은 도팅법을 사용하여 형성하는 발광 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.