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제 1불순물로 도핑된 제 1클래드층, 활성층, 및 제 2불순물로 도핑된 제 2클래드층을 순차적으로 적층하는 단계;
상기 제 1클래드층의 소정 부분이 노출되도록 식각하여 홈을 형성하는 단계;
상기 홈의 측벽에 유전체층을 형성하고, 내부를 투명 반도체 저항층으로 충진하는 단계;
상기 투명 반도체 저항층을 충진한 후, 상기 제 2클래드층의 상부에 반사막 및 본딩금속을 적층하는 단계; 및
상기 본딩금속의 상부에 기판 및 제 2전극을 순차적으로 적층한 후, 제 1클래드층의 하부면에 제 1전극을 적층하는 단계;
를 포함하는 것을 포함하는 수직형 발광소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 홈은 제 1클래드층, 활성층, 및 제 2클래드층이 순차적으로 적층된 소자의 내부 또는 측면에 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 투명 반도체 저항층은 단층 또는 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자 제조방법
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제 2전극, 기판, 본딩금속, 반사막, 제 2클래드층, 활성층, 제 1클래드층, 및 제 1전극이 순차적으로 형성된 수직형 발광 소자에 있어서,
순차적으로 적층된 상기 제 2클래드층, 활성층, 및 제 1클래드층에 형성되는 홈의 측면에 유전체층을 형성하고, 상기 유전체층의 내부에 투명 반도체 저항층을 충진하여 형성하는 바리스타(Varistor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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제 4항에 있어서, 상기 바리스타는
상기 제 2클래드층 및 활성층을 관통하여 형성되는 홀과 상기 홀과 동일한 크기로 제 1클래드층의 소정부분에 형성되는 홈에 상기 유전체층 및 투명저항층을 충진하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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6
제 5항에 있어서, 상기 홀 및 홈은 순차적으로 적층된 상기 제 2클래드층, 활성층, 및 제 1클래드층의 내부 또는 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자
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7
제 4항에 있어서, 상기 투명 반도체 저항층은 단층 또는 다층으로 형성되며, 산화아연(ZnO), 실리콘카바이드(SiC), 및 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3) 중 선택되는 적어도 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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8
제 7항에 있어서, 상기 투명 반도체 저항층을 산화아연(ZnO)으로 형성될 경우,
상기 투명 반도체 저항층은 란탄(La), 망간(Mn), 크롬(Cr), 이트륨(Y), 코발트(Co), 프라세오디듐(Pr), 비스무트(Bi), 바륨(Ba), 및 스트론튬(Sr) 중 선택되는 적어도 하나 이상의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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