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화합물 반도체층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015200450
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화합물 반도체의 형성방법을 제공한다. 상기 화합물 반도체의 형성방법은 표면의 산화막이 제거된 Ⅵ족 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 상에 수평성장된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 씨드층을 형성하는 단계, 상기 씨드층을 격자재배열이 가능한 온도로 승온시켜, 상기 씨드층의 격자를 재배열하는 단계 및 상기 씨드층 상에 상기 씨드층과 동일한 화합물로 이루어진 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다. 화합물 반도체, 열처리, 습식에칭법, 역위상 계면
Int. CL H01L 31/0328 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/036 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01)
출원번호/일자 1020090044276 (2009.05.21)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1068018-0000 (2011.09.20)
공개번호/일자 10-2010-0125520 (2010.12.01) 문서열기
공고번호/일자 (20110926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김효진 대한민국 서울특별시 강서구
2 고항주 대한민국 광주광역시 북구
3 김선훈 대한민국 광주광역시 서구
4 김회종 대한민국 광주광역시 광산구
5 김두근 대한민국 서울특별시 도봉구
6 한명수 대한민국 광주광역시 광산구
7 한수욱 대한민국 광주광역시 광산구
8 기현철 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0303993-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-0064769-50
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0012666-21
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0159320-51
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0159304-20
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0530621-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면의 산화막이 제거된 Ⅵ족 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 수평성장된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층을 격자재배열이 가능한 온도로 승온시켜, 상기 씨드층의 격자를 재배열하는 단계; 및 상기 씨드층 상에 상기 씨드층과 동일한 화합물로 이루어진 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화막은 습식에칭하여 제거하는 화합물 반도체 형성방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 습식에칭은 HF의 에칭액을 사용하여 수행하는 화합물 반도체 형성방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 산화막을 습식에칭한 이후에 형성되는 산화막은 열처리하여 제거하는 화합물 반도체 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 씨드층은 300℃ 내지 450℃에서 형성하는 화합물 반도체 형성방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 씨드층은 Ⅲ족 전구체의 유속은 2
7 7
제1항에 있어서, 상기 씨드층은 Ⅲ족 전구체 1몰에 대해 Ⅴ족 전구체 50 내지 350몰을 사용하여 형성하는 화합물 반도체 형성방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 씨드층의 격자를 재배열하는 단계는 Ⅴ족 전구체 분위기에서 수행하는 화합물 반도체 형성방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 격자재배열이 가능한 온도는 700℃ 내지 800℃인 화합물 반도체 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.