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기판의 상부면 상에 배치되되 상기 기판의 상부면의 가장자리부를 노출시키는 제1형 반도체층, 및 상기 제1형 반도체층 상에 배치되되 상기 제1형 반도체층의 상부면의 적어도 일부를 노출시키는 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체;
상기 제1형 반도체층 상에 배치된 제1형 전극 및 상기 제2형 반도체층 상에 배치되되 상기 제1형 전극의 상부면과 같은 레벨의 상부면을 갖는 제2형 전극;
상기 제2형 반도체층 상에 배치되되, 상기 전극들의 상부면과 같은 레벨의 상부면을 갖는 방열체층; 및
상기 제1형 전극, 상기 제2형 전극 및 상기 방열체층을 제외한 상기 기판 상에 배치되고 상기 전극들 및 상기 방열체층의 상부면과 같은 레벨의 상부면을 갖는 절연막을 포함하는 발광다이오드 패키지
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2
제1항에 있어서,
상기 제1형 전극은 제1형 상부전극 및 제1형 하부전극을 구비하고,
상기 제1형 하부전극은 상기 제1형 반도체층 상의 양측 가장자리면 상에 위치하는 메인부 전극들과 상기 메인부 전극들의 각각으로부터 상기 제1형 반도체층 상부면의 중앙부분으로 연장되는 다수 개의 가지부 전극들을 구비하는 발광다이오드 패키지
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3
제2항에 있어서,
상기 제2형 반도체층은 상기 제1형 전극과 이격되되 상기 제1형 반도체층의 중앙부분에 위치하는 메인부 반도체들과 상기 메인부 반도체들로부터 상기 제1형 하부전극의 가지부 전극들 사이로 연장되는 다수 개의 가지부 반도체들을 구비하는 발광다이오드 패키지
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4
제2항에 있어서,
상기 제1형 상부전극 및 제1형 하부전극의 메인부 전극 사이에 배치되는 제1형 전극 연결체층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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5
제4항에 있어서,
상기 제1형 전극 연결체층은 Cr, Ni 또는 Ti 중 어느 하나와, Au, Al, Cu, Mo, W, Ag, Sn 또는 Pd 중 어느 하나의 혼합층인 발광다이오드 패키지
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6
제1항에 있어서,
상기 제2형 전극은 제2형 상부전극 및 제2형 하부전극을 구비하고,
상기 제2형 하부전극은 상기 제2형 반도체층의 일측 가장자리 상에 위치하는 메인부 전극과 상기 메인부 전극으로부터 상기 제2형 반도체층 상부면의 중앙부분으로 연장되는 다수 개의 가지부 전극들을 구비하는 발광다이오드 패키지
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7
제6항에 있어서,
상기 제2형 상부전극 및 제2형 하부전극의 메인부 전극 사이에 배치되는 제2형 전극 연결체층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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8
제7항에 있어서,
상기 제2형 전극 연결체층은 상기 다수 개의 가지부 전극들과 이격하여 배치되며, 다수개의 막대형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지
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9
제8항에 있어서,
상기 제2형 전극 연결체층은 Cr, Ni 또는 Ti 중 어느 하나와, Au, Al, Cu, Mo, W, Ag, Sn 또는 Pd 중 어느 하나의 혼합층인 발광다이오드 패키지
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10
제1항에 있어서,
상기 제2형 반도체층과 상기 방열체층 사이에 배치된 방열체 연결층을 더 구비하는 발광다이오드 패키지
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11
제10항에 있어서,
상기 방열체연결층은 Cr, Ni 또는 Ti 중 어느 하나와, Au, Al, Cu, Mo, W, Ag, Sn 또는 Pd 중 어느 하나의 혼합층인 발광다이오드 패키지
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12
제1항에 있어서,
상기 절연막 및 상기 기판의 가장자리부를 관통하는 다수 개의 관통홀 내에 배치된 파장변환기둥; 및
상기 기판의 하부면 상에 배치된 파장변환막을 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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13
제12항에 있어서,
상기 절연막은 파장변환물질을 함유하는 발광다이오드 패키지
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14
제1항에 있어서,
상기 제2형 반도체층과 상기 방열체층 사이에 배치되는 반사층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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15
제14항에 있어서,
상기 반사층은 Ag층 또는 Al층인 발광다이오드 패키지
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16
제14항에 있어서,
상기 제2형 반도체층과 상기 반사층 사이에 배치되는 투명도전막을 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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17
제16항에 있어서,
상기 투명도전막은 ITO, IZO 또는 AZO를 함유하는 발광다이오드 패키지
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