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패키지 기판;상기 패키지 기판 상에 배치되되, 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹; 및상기 LED 패키지 그룹 상에 배치되고, 공통스펙트럼 유사광의 각 파장대별 상대 강도 비율에 대응되도록 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장변환물질들을 혼합한 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 포함하되, 상기 공통스펙트럼 유사광은 5000K의 일중태양광의 녹색 파장대의 최대 상대 강도를 100%로 할 때, 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장대에서의 상대 강도가 각각 85% 내지 95%, 95% 내지 105%, 75% 내지 85% 및 70% 내지 80%인 광이고,상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광의 파장대 중 일부 파장대의 광량을 초과하는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 발광다이오드 패키지
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제1항에 있어서, 상기 LED 패키지 그룹 및 공통스펙트럼 변환물질 혼합층 사이에 배치되는 봉지층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지
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제1항에 있어서,상기 단일파장 LED 패키지는 자색, 남색, 청색, 녹색, 황색, 주황색 또는 적색 파장광을 방출하는 소자인 발광다이오드 패키지
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제1항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩은 430nm 이하의 파장광을 방출하는 소자인 발광다이오드 패키지
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제1항에 있어서, 상기 패키지 기판은 패키지 리드 프레임 또는 패키지 프리몰드 프레임인 발광다이오드 패키지
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제4항에 있어서, 상기 패키지 기판은 내부에 캐버티를 갖는 하우징을 더 구비하는 발광다이오드 패키지
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패키지 기판;상기 패키지 기판 상에 배치되되, 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹; 및상기 패키지 기판 상에 상기 LED 패키지 그룹과 병렬로 배치되는 공통스펙트럼 LED 패키지를 포함하되,상기 공통스펙트럼 LED 패키지는 430nm 이하의 파장광을 방출하는 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 및 상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 상에 배치되고, 공통스펙트럼 유사광의 각 파장대별 상대 강도 비율에 대응되도록 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장변환물질들을 혼합한 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 구비하고,상기 공통스펙트럼 유사광은 5000K의 일중태양광의 녹색 파장대의 최대 상대 강도를 100%로 할 때, 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장대에서의 상대 강도가 각각 85% 내지 95%, 95% 내지 105%, 75% 내지 85% 및 70% 내지 80%인 광이고,상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광의 파장대 중 일부 파장대의 광량을 초과하는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 발광다이오드 패키지
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패키지 기판;상기 패키지 기판 상에 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹을 형성하는 단계; 공통스펙트럼 유사광의 각 파장대별 상대 강도 비율에 대응되도록 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장변환물질들을 혼합하는 단계; 및상기 LED 패키지 그룹 상에 상기 혼합한 파장변환물질들을 도포하여, 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 공통스펙트럼 유사광은 5000K의 일중태양광의 녹색 파장대의 최대 상대 강도를 100%로 할 때, 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장대에서의 상대 강도가 각각 85% 내지 95%, 95% 내지 105%, 75% 내지 85% 및 70% 내지 80%인 광이고,상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광의 파장대 중 일부 파장대의 광량을 초과하는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 공통스펙트럼 변환물질 혼합층을 형성하는 단계 이전에 상기 LED 패키지 그룹 상에 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 공통스펙트럼 변환물질 혼합층은 블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 도팅법, 스핀코팅법, 스프레이법 또는 잉크젯프린팅법을 사용하여 형성하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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패키지 기판;상기 패키지 기판 상에 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치된 파장변환물질층을 구비하고, 서로 다른 파장광을 방출하는 다수개의 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 LED 패키지 그룹을 형성하는 단계; 및상기 패키지 기판 상에 상기 LED 패키지 그룹과 병렬로 배치되고, 공통스펙트럼 유사광을 방출하는 공통스펙트럼 LED 패키지를 형성하는 단계를 포함하되,상기 공통스펙트럼 LED 패키지는 430nm 이하의 파장광을 방출하는 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 및 상기 공통스펙트럼 발광다이오드 칩 상에 배치되고, 공통스펙트럼 유사광의 각 파장대별 상대 강도 비율에 대응되도록 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장변환물질들을 혼합한 공통스펙트럼 파장변환물질 혼합층을 구비하고,상기 공통스펙트럼 유사광은 5000K의 일중태양광의 녹색 파장대의 최대 상대 강도를 100%로 할 때, 청색, 녹색, 주황색 및 적색 파장대에서의 상대 강도가 각각 85% 내지 95%, 95% 내지 105%, 75% 내지 85% 및 70% 내지 80%인 광이고,상기 LED 패키지 그룹은 상기 공통스펙트럼 유사광의 파장대 중 일부 파장대의 광량을 초과하는 파장대의 광을 방출하는 단일파장 LED 패키지들을 구비하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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