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ＤＤＩ 프로브 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200465
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일체형 DDI 프로브의 제조방법에 대해 개시한다. 본 발명의 가장 큰 특징은, 일반적인 반도체 소자 제조공정에 의해 탐침까지도 조립없이 일체형으로 제조하였다는 것으로서, 각 단위공정 자체도 최적화함으로써 낮은 불량률과 단가로 빠른 시간에 일체형의 DDI 프로브를 제조할 수 있게 되었다는 것이다. 일체형, DDI 프로브, 스프레이 코팅, 공정 최적화, 탐침, 도금
Int. CL G01R 1/067 (2006.01.01) G01R 3/00 (2006.01.01) G01R 31/28 (2006.01.01) G01R 31/28 (2006.01.01)
CPC G01R 1/06761(2013.01) G01R 1/06761(2013.01) G01R 1/06761(2013.01) G01R 1/06761(2013.01) G01R 1/06761(2013.01)
출원번호/일자 1020090098674 (2009.10.16)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0041715 (2011.04.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장현 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 남안식 대한민국 경기도 수원시 권선구
3 김광현 대한민국 강원도 철원군
4 김왕기 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0634732-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0033612-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0274128-57
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0570548-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0646530-22
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0646404-88
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0179592-02
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0333225-94
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.04.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0333224-48
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0318100-35
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0613089-60
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0613090-17
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0788268-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 웨이퍼에 저압화학기상증착 공정을 적용하여 실리콘 질화막을 형성하는 단계와; (b) 상기 실리콘 질화막이 형성된 실리콘 웨이퍼의 앞면에 탐침을 형성하기 위한 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와; (c) 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 웨이퍼의 앞면에 형성된 실리콘 질화막을 제거하고, 탐침의 오버드라이브를 만들기 위해 제거된 실리콘 질화막의 하부에 있던 실리콘 웨이퍼에도 일정 깊이의 식각 부위를 형성하는 단계와; (d) 상기 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 형성된 상기 실리콘 질화막 상에, 상기 제1 포토 레지스트 패턴과 같은 위치에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와; (e) 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 웨이퍼의 뒷면에 형성된 상기 실리콘 질화막을 제거하고, 그 하부의 실리콘 웨이퍼를 일정 깊이만큼 제거하는 단계와; (f) 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 제거하고, 상기 제1 포토 레지스트 패턴에 의해 식각된 실리콘 웨이퍼의 앞면에 스퍼터링 공정으로 씨앗금속층의 형성하는 단계와; (g) 상기 (f)단계의 결과물의 실리콘 웨이퍼의 앞면에 포토 레지스트를 코팅하고, 도금 몰드 형성용 제3 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와; (h) 상기 제3 포토 레지스트 패턴에 도금공정을 적용하여 Ni-Co 금속패턴을 형성하는 단계와; (i) 상기 제3 포토 레지스트 패턴과 이 패턴 밑의 씨앗금속층을 제거하고, 세정하는 단계와; (j) 상기 (i) 단계의 결과물에 대해, 실리콘 식각공정을 적용하여 탐침을 노출시키는 단계와; (k) 상기 (i) 단계의 결과물에 다이싱 공정을 적용하여 칩단위의 DDI 프로브를 얻는 단계; 를 구비하는 DDI 프로브 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (g) 단계에서 상기 포토 레지스트가 스프레이 코팅에 의해 형성되거나, 진공 라미네이터에서 DFR(Dry Film Resist)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 DDI 프로브 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계 중에서 탐침의 오버드라이브를 만들기 위해 제거된 실리콘 질화막의 하부에 있던 실리콘 웨이퍼에도 일정 깊이의 식각 부위를 형성하는 단계가: KOH 분말과 탈이온수(DI water)를 15%의 비율로 혼합하여 만든 식각용액에서 80∼85℃의 온도로 실리콘 기판을 80㎛ 깊이만큼 식각하는 공정인 것을 특징으로 하는 DDI 프로브 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (f) 단계에서 상기 씨앗금속층은, Cu/Ti가 2000Å/100Å으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 DDI 프로브 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (g) 단계의 포토 레지스트를 코팅 이전에, 상기 (f)단계의 결과물을 O2 플라즈마에 표면처리하는 단계를 더 거치는 것을 특징으로 하는 DDI 프로브 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 (g) 단계에서 상기 포토 레지스트가 스프레이 코팅에 의해 형성될 경우, PR (상표명: NCA 3000)을 시너 (상표명: AZ 1500)로 1:2 내지 1:7로 희석한 상태에서, 노즐이 기판에 대해 45도의 분사각을, 기판이 온도 110℃를 각각 유지한 상태에서 스프레이 코팅이 이루어지는 것을 특징으로 하는 DDI 프로브 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 (i) 단계에서 암모니아:과산화수소:탈이온수를 5:3:20로 혼합한 용액에서 7~8분이 시간동안 식각을 진행하여 씨앗금속층을 제거하는 것을 특징으로 하는 DDI 프로브 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 실리콘 식각공정을 적용하여 탐침을 노출시키는 상기 (j) 단계가, KOH 분말과 탈이온수를 15%의 비율로 혼합하여 만들고 온도를 80∼85℃로 유지시킨 상태에서 진행되는 것을 특징으로 하는 DDI 프로브 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.