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1
베이스 구조물 상에 배치된 발광다이오드 칩;
상기 발광다이오드 칩 상에 배치되고, 확산층 또는 파장변환층에서 선택되는 제1 물질층; 및
상기 제1 물질층 상에 배치되고, 상기 확산층 또는 파장변환층 중 상기 제1 물질층과 서로 다른 종류의 층으로 이루어진 제2 물질층을 포함하는 발광다이오드
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2
제1항에 있어서,
상기 확산층은 코어셀 구조를 가지는 물질을 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,
상기 확산층은 무기화합물 또는 메타물질을 포함하는 발광다이오드
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4
제1항에 있어서,
상기 파장변환층은 상기 발광다이오드 칩의 상면부에서 측면부로 갈수록 두께가 얇아지는 발광다이오드
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5
제1항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩은 청색광을 방출하는 소자이고, 상기 파장변환층은 황색변환층인 발광다이오드
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6
제1항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩은 자외선광을 방출하는 소자이고, 상기 파장변환층은 적색, 녹색 및 청색 파장의 범위를 갖는 물질을 모두 함유하는 층인 발광다이오드
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7
베이스 구조물 상에 배치된 발광다이오드 칩; 및
상기 발광다이오드 칩 상에 배치되는 파장변환 광확산층을 포함하는 발광다이오드
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8
제7항에 있어서,
상기 파장변환 광확산층은 상기 발광다이오드 칩의 상부면 상에 배치되는 발광다이오드
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9
제7항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩 및 상기 파장변환 광확산층 사이에 배치되는 보호층을 더 구비하고,
상기 파장변환 광확산층은 상기 보호층의 상부면 상에 배치되는 발광다이오드
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10
제7항에 있어서,
상기 파장변환 광확산층은 호(arc) 형상, 초승달 형상, 또는 돔(dome) 형상을 가지는 발광다이오드
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11
제7항에 있어서,
상기 파장변환 광확산층은 상기 발광다이오드 칩의 상면부에서 측면부로 갈수록 두께가 얇아지는 발광다이오드
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12
베이스 구조물 상에 발광다이오드 칩을 형성하는 단계;
상기 발광다이오드 칩 상에 확산층 또는 파장변환층에서 선택되는 제1 물질층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 물질층 상에 상기 확산층 또는 파장변환층 중 상기 제1 물질층과 서로 다른 종류의 층으로 이루어진 제2 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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13
제12항에 있어서,
상기 제1 물질층 또는 제2 물질층은 광경화 코팅법, 금형몰딩법, 습식코팅법 또는 진공증착법을 사용하여 형성하는 발광다이오드 제조방법
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14
제12항에 있어서,
상기 제1 물질층을 형성하는 방법은 확산물질 또는 파장변환물질에 광경화물질을 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계;
상기 혼합물을 상기 발광다이오드 칩 상에 도포하는 단계;
상기 발광다이오드 칩에 전계를 인가하여 방출되는 광에 상기 혼합물을 노광시켜, 상기 광량에 비례하여 상기 혼합물을 경화시키는 단계; 및
상기 발광다이오드 칩으로부터 상기 혼합물을 격리시키고, 경화되지 않은 잔여 혼합물은 현상하거나 세척하여 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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15
제12항에 있어서,
상기 제2 물질층을 형성하는 방법은 확산물질 또는 파장변환물질에 광경화물질을 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계;
상기 혼합물을 상기 제1 물질층 상에 도포하는 단계;
상기 발광다이오드 칩에 전계를 인가하여 방출되는 광에 상기 혼합물을 노광시켜, 상기 광량에 비례하여 상기 혼합물을 경화시키는 단계; 및
상기 제1 물질층으로부터 상기 혼합물을 격리시키고, 경화되지 않은 잔여 혼합물은 현상하거나 세척하여 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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16
베이스 구조물 상에 발광다이오드 칩을 배치시키는 단계; 및
상기 발광다이오드 칩 상에 파장변환 광확산층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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17
제16항에 있어서,
상기 파장변환 광확산층을 형성하는 방법은 확산물질, 파장변환물질 및 광경화물질 모두를 혼합하여, 혼합물을 제조하고, 상기 혼합물을 상기 발광다이오드 칩 상에 도포하는 단계;
상기 발광다이오드 칩에 전계를 인가하여 방출되는 광에 상기 혼합물을 노광시켜, 상기 광량에 비례하여 상기 혼합물을 경화시키는 단계; 및
상기 발광다이오드 칩으로부터 상기 혼합물을 격리시키고, 경화되지 않은 잔여 혼합물은 현상하거나 세척하여 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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