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서브스트레이트 기판, 및 상기 서브스트레이트 기판 상에 형성되며 입력되는 광신호에서 표면 플라즈몬파를 여기시키는 금속격자층을 구비하는 격자구조와, 상기 격자구조의 상부의 소정영역을 덮고, 그 하부면이 상기 금속격자층과 수직으로 맞닿도록 형성되는 광결정구조를 포함하되, 상기 광결정구조는, 표면 플라즈몬 파가 진행하는 광도파로를 포함하는 유전체 박막;상기 유전체 박막의 하부에 형성되는 반도체층; 상기 유전체 박막의 상부에 형성되고, 상기 유전체 박막에 전계를 인가하고 표면 플라즈몬 공명을 일으키기 위한 상부 금속층; 및상기 반도체층 하부에 형성되고, 상기 반도체층에 전계를 인가하기 위한 하부금속층; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광 스위치
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프리즘, 및 상기 프리즘 상에 형성되며 입력되는 광신호에서 표면 플라즈몬 파를 여기시키는 금속격자층을 구비하는 프리즘 격자구조와, 상기 프리즘 격자구조의 상부의 소정영역을 덮고, 그 하부면이 상기 금속격자층과 수직으로 맞닿도록 형성되는 광결정구조를 포함하되, 상기 광결정구조는, 표면 플라즈몬 파가 진행하는 광도파로를 포함하는 유전체 박막;상기 유전체 박막의 하부에 형성되는 반도체층; 상기 유전체 박막의 상부에 형성되고, 상기 유전체 박막에 전계를 인가하고 표면 플라즈몬 공명을 일으키기 위한 상부 금속층; 및상기 반도체층 하부에 형성되고, 상기 반도체층에 전계를 인가하기 위한 하부금속층; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광 스위치
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 유전체 박막은 SiO2, SiNX 또는 TiO2 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광 스위치
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 반도체층은 Si, III-V 족 또는 II-VI 족으로 이루어지는 물질군 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 형성하되, 상기 III-V족으로 이루어지는 물질군은, InAs, AlAs, GaAs, InP, AlP, GaP, InSb, AlSb, GaSb, InP, InAlAs, GaInAs, AlInGaAs, GaInAsP의 물질군이고, 상기 II-VI 족으로 이루어지는 물질군은, ZnSe, CdSe, BeSe, MgSe, ZnTe, CdTe, BeTe, MgTe, ZnS, CdS, BeS, MgS, CdZnSe, CdMgZnSe, BeZnTe, BeMgZnTe 의 물질군인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광 스위치
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 금속 격자층, 상부금속층 및 하부금속층은, 금(Au), 은 (Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광 스위치
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 상부금속층의 상부면에 상기 유전체박막에 전계를 인가하기 위한 전극; 및상기 하부금속층의 하부면에, 상기 반도체층에 전계를 인가하기 위한 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 광 스위치
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