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서브스트레이트 기판과, 상기 서브스트레이트 기판상에 순차적으로 형성되는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층과, n형 반도체층상에 형성되는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층상에 형성되는 p형 전극을 포함하는 발광다이오드(Light Emitting Diode)에 있어서, 상기 활성층은 복수의 장벽층(well)을 포함하며, 상기 n형 반도체층상으로부터 카운트되는 홀수번째 장벽층과 짝수번째 장벽층은 각각 장벽층을 형성하는 조성물의 조성비가 다른 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 활성층의 홀수번째 장벽층(well)은 Ga(x)In(1)-(x)P, InGa(x)N, AlGa(x)N 또는 AlInGa(x)N 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 형성하고,상기 활성층의 짝수번째 장벽층(well)은 Ga(x1)In(1)-(x1)P, InGa(x1)N, AlGa(x1)N 또는 AlInGa(x1)N 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 형성하되, 상기 x와 x1은 서로 다른 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 2항에 있어서, 상기 장벽층(well)을 형성하는 조성물의 분자수인 x와 x1은,x +0
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서브스트레이트 기판과, 상기 서브스트레이트 기판상에 순차적으로 형성되는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층과, n형 반도체층상에 형성되는 n형 전극 및 상기 p형 반도체층상에 형성되는 p형 전극을 포함하는 발광다이오드(Light Emitting Diode)에 있어서, 상기 활성층은 복수의 장벽층(well)을 포함하며, 상기 n형 반도체층상으로부터 카운트되는 홀수번째 장벽층과 짝수번째 장벽층은 각각 두께가 다른 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 4항에 있어서, 상기 장벽층(well)의 두께는 3nm 내지 10nm 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제 4항에 있어서, 상기 홀수번째 장벽층(well) 두께를 t 라 하고, 짝수번째 장벽층(well)의 두께를 t1이라 할 때, t1 003e# t+0
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서브스트레이트 기판상에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 n형 반도체층의 상면이 노출되도록 상기 활성층 및 p형 반도체층의 소정영역을 식각하는 단계;상기 노출된 n형 반도체층의 상면에 n형 전극을 형성하고, 상기 p형 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 활성층은 복수의 장벽층(well)을 포함하며, 상기 n형 반도체층상으로부터 카운트되는 홀수번째 장벽층과 짝수번째 장벽층은 각각 그 조성물의 조성비가 다르게 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 활성층 형성단계는,Ga(x)In(1)-(x)P, InGa(x)N, AlGa(x)N 또는 AlInGa(x)N 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 소스의 양을 조절하여 각각의 장벽층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 활성층 형성단계는, Ga(x)In(1)-(x)P, InGa(x)N, AlGa(x)N 또는 AlInGa(x)N 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 소스를 주입하고, 성장온도를 조절하여 각각의 장벽층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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서브스트레이트 기판상에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 n형 반도체층의 상면이 노출되도록 상기 활성층 및 p형 반도체층의 소정영역을 식각하는 단계;상기 노출된 n형 반도체층의 상면에 n형 전극을 형성하고, 상기 p형 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 활성층은 복수의 장벽층(well)을 포함하며, 상기 n형 반도체층상으로부터 카운트되는 홀수번째 장벽층과 짝수번째 장벽층은 각각 두께가 다른 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 활성층 형성단계는,Ga(x)In(1)-(x)P, InGa(x)N, AlGa(x)N 또는 AlInGa(x)N 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 소스의 양을 조절하여 각각의 장벽층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 활성층 형성단계는, Ga(x)In(1)-(x)P, InGa(x)N, AlGa(x)N 또는 AlInGa(x)N 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 소스를 주입하고, 성장시간을 조절하여 각각의 장벽층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
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