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안전한 셀레늄 소스를 이용한 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법

  • 기술번호 : KST2015200479
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래 셀렌화 공정에서 사용하던 고체 셀레늄(Se) 또는 유독성의 H2Se 기체를 대신해 안전한 액체 셀레늄 소스(source)를 사용하여 셀렌화 처리하는 안전한 셀레늄 소스를 이용한 CIS계 박막태양전지 흡수층의 제조방법 및 상기 흡수층을 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 본 발명에 따른 제조방법은 셀렌화 공정에서 유독성이 강한 H2S 기체 대신 액체 셀레늄 소스를 사용함으로써 안전장치에 관한 별도의 공정 및 장치가 불필요하며, 고품질의 CIS계 흡수층을 안전하고 저렴하게 제공할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0749 (2012.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020100067771 (2010.07.14)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0007166 (2012.01.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.14)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고항주 대한민국 광주광역시 북구
2 김효진 대한민국 광주광역시 광산구
3 한명수 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0453274-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0069664-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0720724-44
5 [지정기간연장] 기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0058597-23
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0178555-08
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0178554-52
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0279052-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
기판 위에 배면전극을 증착하는 단계; 상기 배면전극 위에 Cu-Ⅲ족 금속을 증착하는 단계; 및 상기 증착된 금속 위에 셀렌화 공정으로 CIS계 흡수층을 제조하는 단계로 이루어지는 CIS계 박막태양전지의 흡수층을 제조함에 있어서,상기 셀렌화 공정은 액체 셀레늄 소스(source)를 사용하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 기판은 소다라임 유리기판인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 배면전극은 몰리브덴(Mo)인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 배면적극 위에 증착되는 Ⅲ족 금속은 In 및 Ga 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 액체 셀레늄 소스는 다이메틸셀레나이드(Dimethylselenide, (CH3)2Se), 다이터트부틸셀레늄(Di-tert-butylselenium, t-(C4H9)2Se), 메틸알리셀레늄(Methylallyselenium, (CH3)Se(C3H5)), 다이알리셀레늄(Diallyselenium, (C3H5)2Se), 다이이소필셀레늄(i-(C3H7)2Se)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 액체 셀레늄 소스는 캐리어 가스로 기화하여 사용하는 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 캐리어 가스는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 기체인 것을 특징으로 하는 CIS계 박막태양전지 흡수층 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 한국광기술원 첨단장비활용기술개발사업 비독성 소스를 이용한 셀렌화 RTA 개발