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발광 소자에 있어서,n형 전극 패드 및 p형 전극 패드가 지지층(receptor)의 일면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 고출력 발광 소자는,상기 n형 전극 패드와 n형 반도체층, 상기 p형 전극 패드와 반사막층이 각각 상기 지지층을 관통하는 금속성 물질에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 고출력 발광 소자는,발광 소자의 최상부에 위치한 불순물이 도핑되지 않은 비도핑 반도체층, 상기 비도핑 반도체층의 하부에 위치한 n형 반도체층 및 상기 n형 반도체층의 하부에 위치한 제 1 금속 연결층 및 활성층을 포함하는 것을 특징으로 하되,상기 제 1 금속 연결층의 하부에는 제 1 시드 금속층, 상기 지지층 및 상기 n형 전극 패드를 포함하고, 상기 활성층의 하부에는 p형 반도체층, 반사막층, 제 2 시드 금속층, 상기 지지층 및 상기 p형 전극 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자
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제 3 항에 있어서,상기 고출력 발광 소자는,상기 제 1 시드 금속층과 상기 n형 전극 패드를 연결하기 위하여 지지층을 관통하도록 하는 제 2 금속 연결층; 및상기 제 2 시드 금속층과 상기 p형 전극 패드를 연결하기 위하여 지지층을 관통하도록 하는 제 3 금속 연결층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 고출력 발광 소자는,상기 제 1 금속 연결층 및 제 1 시드 금속층을 포함하는 n형 전극 패드로 연결되는 경로와 상기 활성층, p형 반도체층, 반사막층 및 제 2 시드 금속층을 포함하는 상기 p형 전극 패드로 연결되는 경로 사이에 절연층을 형성하여 두 가지 경로를 전기적으로 분리한 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 지지층이 전도성 기판일 경우에는 상기 제 2 금속 연결층 및 제 3 금속 연결층을 상기 지지층과 전기적으로 분리하기 위한 보호막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자
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제 3 항에 있어서,상기 비도핑 반도체층의 전 두께와 상기 n형 반도체층의 일부 두께에 대해 표면 거칠기(roughness) 공정에 의해 표면이 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자
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8
(a) 사파이어 기판 위에 비도핑 반도체층, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 형성하는 단계;(b) 반사막층을 형성하는 단계;(c) 일부 표면을 식각하는 것에 의해 상기 p형 반도체층의 전 두께, 상기 활성층의 전 두께 및 상기 n형 반도체층의 일정 부분의 두께를 제거하는 단계;(d) 상기 반사막층이 형성되지 않은 표면의 일부분과 상기 반사막층의 바깥쪽 표면의 일부분에 절연층을 형성하는 단계;(e) 상기 n형 반도체층과 n형 전극 패드를 연결하기 위한 제 1 금속 연결층을 형성하는 단계;(f) 상기 제 1 금속 연결층의 상부와 반사막층의 상부에 제 1 시드 금속층 및 제 2 시드 금속층을 각각 형성하는 단계;(g) 지지층을 형성하는 단계;(h) 상기 지지층의 일부를 식각하고, 식각된 부분에 금속 물질을 삽입하여 제 2 금속 연결층과 제 3 금속 연결층을 형성하는 단계;(i) 상기 사파이어 기판을 제거하는 단계; 및(j) 상기 제 2 금속 연결층 및 제 3 금속 연결층 위에 n형 전극 패드와 p형 전극 패드를 각각 형성하는 단계;를 포함하되,상기 (a) 단계 내지 (j) 단계의 순서는 변경되어 질 수 있는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 (g) 단계 및 상기 (h) 단계는 별도의 공정에 의해 진행된 후, 상기 (f) 단계가 완료된 소자와 접합하는 것에 의해 하나의 소자로 형성될 수 있는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자 제조 방법
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10
제 8 항에 있어서,상기 지지층이 전도성 기판일 경우, 상기 제 2 금속 연결층 및 제 3 금속 연결층을 상기 지지층과 전기적으로 분리하기 위한 보호막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자 제조 방법
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제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비도핑 반도체 층의 전 두께와 상기 n형 반도체층의 일부 두께에 대해 표면 거칠기(roughness)를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 소자 제조 방법
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