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Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하여 질화물 층을 형성하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법으로,상기 복수의 Ⅲ족 소스의 총 공급량을 정하고, 상기 복수의 Ⅲ족 소스 중 적어도 하나를 스텝형 또는 커브형으로 가변 공급하여 상기 질화물 층을 형성하는 것을 특징으로 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 질화물 층은,버퍼층, n형 반도체층, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층 및 p형 반도체층 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복수의 Ⅲ족 소스는 B, Al, Ga, In 중에 적어도 두개를 함유하고, 상기 Ⅴ족 소스는 N을 함유하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 질화물 층의 소재는 AlxInyGazBwN(0≤x,y,z,w≤1, x+y+z+w=1)인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하여 형성한 복수의 질화물 층을 포함하는 질화물계 반도체 소자로,상기 복수의 질화물 층 중 적어도 하나는 상기 복수의 Ⅲ족 소스의 총 공급량을 정하고, 상기 복수의 Ⅲ족 소스 중 적어도 하나를 스텝형 또는 커브형으로 가변 공급하여 형성한 것을 특징으로 질화물계 반도체 소자
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베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 위에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계;상기 버퍼층 위에 n형 반도체층을 형성하는 n형 반도체층 형성 단계;상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 활성층 형성 단계;상기 활성층 위에 p형 반도체층을 형성하는 p형 반도체층 형성 단계;를 포함하며,상기 버퍼층 형성 단계, 상기 n형 반도체층 형성 단계, 상기 활성층 형성 단계 및 상기 p형 반도체층 형성 단계 중에 적어도 하나의 단계에서,Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하되, 상기 복수의 Ⅲ족 소스의 총 공급량을 정하고, 상기 복수의 Ⅲ족 소스 중 적어도 하나를 스텝형 또는 커브형으로 가변 공급하여 해당 층을 형성하는 것을 특징으로 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 활성층을 형성하기 전에 상기 n형 반도체층 위에 n형 클래드층을 형성하는 단계; 또는상기 p형 반도체층을 형성하기 전에 상기 활성층 위에 p형 클래드층을 형성하는 단계;중에 적어도 하나의 단계를 더 포함하며,상기 n형 또는 p형 클래드층을 형성하는 단계는, Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하되, 상기 복수의 Ⅲ족 소스의 총 공급량을 정하고, 상기 복수의 Ⅲ족 소스 중 적어도 하나를 스텝형 또는 커브형으로 가변 공급하여 형성하는 것을 특징으로 질화물계 반도체 소자의 제조 방법
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베이스 기판;상기 베이스 기판 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 p형 반도체층;를 포함하며,상기 버퍼층, 상기 n형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 중에 적어도 하나는, Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하되, 상기 복수의 Ⅲ족 소스의 총 공급량을 정하고, 상기 복수의 Ⅲ족 소스 중 적어도 하나를 스텝형 또는 커브형으로 가변 공급하여 해당 층을 형성한 것을 특징으로 질화물계 반도체 소자
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제7항에 있어서,상기 n형 반도체층과 상기 활성층 사이에 형성된 n형 클래드층; 또는상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 형성된 p형 클래드층;중에 적어도 하나를 더 포함하며,상기 n형 또는 p형 클래드층은, Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하되, 상기 복수의 Ⅲ족 소스의 총 공급량을 정하고, 상기 복수의 Ⅲ족 소스 중 적어도 하나를 스텝형 또는 커브형으로 가변 공급하여 형성한 것을 특징으로 질화물계 반도체 소자
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