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질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015200483
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 질화물계 반도체 발광소자를 구성하는 질화물 소재의 층 내부의 양호한 격자 정합성과, 질화물 소재의 층 간의 양호한 격자 정합성을 제공하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 베이스 기판 위에 버퍼층, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 적층되어 형성된다. 이때 버퍼층, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층 중에 적어도 하나는 Ⅴ/Ⅲ비를 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 해당 층을 형성한다. 따라서 해당 층을 일체로 형성하면서 해당 층 내부의 조성을 변경할 수 있기 때문에, 해당 층 내에서의 양호한 격자 정합성을 포함하여 해당 층과 이웃하는 다른 층과의 양호한 격자 정합성을 확보할 수 있다. 이로 인해 해당 층과, 해당 층을 중심으로 상하에 형성된 다른 층과의 격자 상수 및 열팽창 계수 차이에 기안한 크랙, 뒤틀림 및 전위 등의 발생을 감소시킬 수 있고, 내부양자효율을 향상시켜 질화물계 반도체 발광소자의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020100104480 (2010.10.26)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0043270 (2012.05.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120113963;
심사청구여부/일자 Y (2010.10.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성란 대한민국 광주광역시 광산구
2 송영호 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 김재범 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0691915-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564746-22
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0953973-57
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-1052585-35
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0075237-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0140790-97
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0140789-40
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0472978-62
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.09.14 수리 (Accepted) 7-1-2012-0043036-87
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0833295-63
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.10.15 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2012-0833283-15
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0833318-25
13 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2012.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0674307-39
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0674306-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하여 질화물 층을 형성하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법으로,Ⅴ/Ⅲ비를 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 상기 질화물 층을 형성하는 것을 특징으로 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 질화물 층은,버퍼층, n형 반도체층, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층 및 p형 반도체층 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 Ⅲ족 소스는 B, Al, Ga, In 중에 적어도 두개를 함유하고, 상기 Ⅴ족 소스는 N을 함유하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 질화물 층의 소재는 AlxInyGazBwN(0≤x,y,z,w≤1, x+y+z+w=1)인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
5 5
Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하여 형성한 복수의 질화물 층을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자로,상기 복수의 질화물 층 중 적어도 하나는 Ⅴ/Ⅲ비를 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 형성한 것을 특징으로 질화물계 반도체 발광소자
6 6
베이스 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 기판 위에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성 단계;상기 버퍼층 위에 n형 반도체층을 형성하는 n형 반도체층 형성 단계;상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 활성층 형성 단계;상기 활성층 위에 p형 반도체층을 형성하는 p형 반도체층 형성 단계;를 포함하며,상기 버퍼층 형성 단계, 상기 n형 반도체층 형성 단계, 상기 활성층 형성 단계 및 상기 p형 반도체층 형성 단계 중에 적어도 하나의 단계에서,Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하되, Ⅴ/Ⅲ비를 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 해당 층을 형성하는 것을 특징으로 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 활성층을 형성하기 전에 상기 n형 반도체층 위에 n형 클래드층을 형성하는 단계; 또는상기 p형 반도체층을 형성하기 전에 상기 활성층 위에 p형 클래드층을 형성하는 단계;중에 적어도 하나의 단계를 더 포함하며,상기 n형 또는 p형 클래드층을 형성하는 단계는, Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하되, Ⅴ/Ⅲ비를 스텝형 또는 커브형으로 가변하는 것을 특징으로 질화물계 반도체 발광소자의 제조 방법
8 8
베이스 기판;상기 베이스 기판 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 p형 반도체층;를 포함하며,상기 버퍼층, 상기 n형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형 반도체층 중에 적어도 하나는, Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하되, Ⅴ/Ⅲ비를 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 해당 층을 형성한 것을 특징으로 질화물계 반도체 발광소자
9 9
제7항에 있어서,상기 n형 반도체층과 상기 활성층 사이에 형성된 n형 클래드층; 또는상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 형성된 p형 클래드층;중에 적어도 하나를 더 포함하며,상기 n형 또는 p형 클래드층은, Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하되, Ⅴ족 소스 및 복수의 Ⅲ족 소스를 공급하되, Ⅴ/Ⅲ비를 스텝형 또는 커브형으로 가변하여 형성한 것을 특징으로 질화물계 반도체 발광소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020120117721 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.