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리프트 오프를 용이하게 하는 포토레지스트 패턴 형성방법 및 이를 이용한 전극 형성방법

  • 기술번호 : KST2015200487
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리프트 오프를 용이하게 하는 포토레지스트 패턴 형성방법 및 이를 이용한 전극 형성 방법에 관한 것이다. 상기 포토레지스트 패턴 형성방법은, 웨이퍼의 상면에 노광시 음성반응하는 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층의 상측에 패턴이 형성된 포토마스크를 배치하고 소정의 제1 시간 동안 노광하는 제1 노광단계; 상기 포토마스크를 제거하고 상기 포토레지스트층에 상기 제1 시간보다 긴 제2 시간 동안 노광하는 제2 노광단계를 포함하여 포토레지스트 패턴을 형성하며, 상기 포토레지스트 패턴은 포토레지스트가 잔류하는 잔류부와, 상기 포토레지스트가 제거된 제거부를 포함하고, 상기 제거부의 상측의 폭은 상기 포토레지스트가 상기 웨이퍼와 접하는 상기 제거부의 하측의 폭보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0272(2013.01) H01L 21/0272(2013.01) H01L 21/0272(2013.01)
출원번호/일자 1020120045986 (2012.05.01)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0122870 (2013.11.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.01)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍희송 대한민국 광주 광산구
2 임주영 대한민국 광주 북구
3 김정호 대한민국 광주 북구
4 정구락 대한민국 광주 북구
5 임정운 대한민국 광주 북구
6 한수욱 대한민국 광주 광산구
7 김정호 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0348185-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0063998-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0583909-37
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0791389-63
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
웨이퍼(10)의 상면에 노광시 음성반응하는 포토레지스트층(20)을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층(20)의 상측에 패턴이 형성된 포토마스크(30)를 배치하고 소정의 제1 시간 동안 노광하는 제1 노광단계;상기 포토마스크(30)를 제거하고 상기 포토레지스트층(20)에 상기 제1 시간보다 긴 제2 시간 동안 노광하는 제2 노광단계를 포함하여 포토레지스트 패턴(40)을 형성하며,상기 포토레지스트 패턴(40)은 포토레지스트가 잔류하는 잔류부(42)와, 상기 포토레지스트가 제거된 제거부(41)를 포함하고, 상기 제거부의 상측의 폭(W1)은 상기 포토레지스트가 상기 웨이퍼(10)와 접하는 상기 제거부의 하측의 폭(W2)보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 리프트 오프를 용이하게 하는 포토레지스트 패턴 형성방법
2 2
상기 제1항에 따른 포토레지스트 패턴(40)을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴(40)에 전극을 증착하는 단계;현상액을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴(40)을 제거하는 단계;를 포함하되, 상기 포토레지스트 패턴(40)과 상기 전극(50) 사이는 서로 이격되어 상기 현상액은 상기 포토레지스트 패턴(40)만을 제거하는 것을 특징으로 하는 리프트 오프를 용이하게 하는 포토레지스트 패턴 형성방법을 이용한 전극 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.