| 1 |
1
기판 상에 제1형 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1형 반도체층 상에 제2형 반도체층을 형성하여 소자를 제조하는 단계; 및
상기 소자를 적어도 -180℃ 이하의 온도를 가지는 초저온 냉각제에 침지시킨 후, 15 내지 25℃에서 방치시켜 저온 어닐링 처리를 수행하는 단계를 포함하는 소자 특성 향상방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 제1형 반도체층을 형성하는 단계와 상기 제2형 반도체층을 형성하는 단계 사이에 저온 어닐링 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 소자 특성 향상방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 초저온 냉각제는 액체 질소, 액체 헬륨, 액체 산소 또는 액체 수소인 소자 특성 향상방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,
상기 제1형 반도체층과 제2형 반도체층 사이에 활성층을 형성하는 단계를 더 포함하는 소자 특성 향상방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,
상기 활성층을 형성하는 단계와 상기 제2형 반도체층을 형성하는 단계 사이에 저온 어닐링 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 소자 특성 향상방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1형 반도체층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 소자 특성 향상방법
|
| 7 |
7
패키지 기판 및 상기 패키지 기판 상에 배치된 단일 소자를 구비하는 패키지 소자를 제공하는 단계; 및
상기 패키지 소자를 적어도 -180℃ 이하의 온도를 가지는 초저온 냉각제에 침지시킨 후, 15 내지 25℃에서 방치시켜 저온 어닐링 처리를 수행하는 단계를 포함하는 소자 특성 향상방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,
상기 초저온 냉각제는 액체 질소, 액체 헬륨, 액체 산소 또는 액체 수소인 소자 특성 향상방법
|
