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반도체층이 적층되고 반도체층의 상부와 하부에 각각 전극이 구비된 발광다이오드의 상부에 형성된 본딩 금속층; 및
상기 본딩 금속층 상부에 접합되고, 구리(Cu), 동탄(CuW), 알루미늄(Al), 금(Au)으로 구성된 그룹 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속으로 충진된 하나 이상의 비아홀과 상기 비아홀 상부에 결합된 전도성의 컨택 금속을 구비하는 세라믹 기판을 포함하는 수직형 발광다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 발광다이오드의 반도체층은 질화물 반도체화합물로 이루어진 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층이고, 상기 n형 반도체층에 n형 전극을, 상기 p형 반도체층에 p형 전극을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 발광다이오드는 트렌치형으로 식각된 반도체층의 측면에 실리콘 옥사이드(SiO2) 또는 실리콘 나이트라이드(Si3N4)로 이루어진 보호박막층 및 고분자유기화합물층이 추가로 포함된 개별소자인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 본딩 금속층은 시드(seed)금속층과 도전성 접착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 4항에 있어서,
상기 시드 금속층은 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 탄탈륨(Ta), 구리(Cu)로 구성된 그룹 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 4항에 있어서,
상기 도전성 접착층은 팔라듐인듐화합물(Pd/In), 팔라듐주석화합물(Pd/Sn), 금주석화합물(Au-Sn), 주석(Sn), 인듐(In), 금(Au), 금은화합물(Au/Ag), 납주석화합물(Pb-Sn)로 구성된 그룹 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 세라믹 기판은 열전도도가 100 W/mK 이상인 절연체 물질인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 세라믹 기판은 질화붕소(BN), 알루미나(Alumina), 질화알루미늄(AlN), 베릴륨 옥사이드(BeO) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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삭제
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11
제 1항에 있어서,
상기 발광다이오드의 하부면은 텍스쳐링 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
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기판 위에 서로 다른 타입의 반도체층을 복수 개로 적층하는 단계;
상기 반도체층을 식각하여 복수 개의 개별소자로 분리하고, 상기 개별소자의 상부면에 전극을 형성하여 복수 개의 발광다이오드를 형성하는 단계;
상기 복수 개의 발광다이오드의 상부에 금속으로 충진된 비아홀을 구비한 세라믹 기판을 접합하는 단계;
상기 기판을 제거하는 단계;
상기 기판을 제거한 개별소자의 하부면에 전극을 형성하는 단계; 및
상기 복수 개의 발광다이오드를 개별 칩으로 분리하는 단계를 포함하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
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13
제 12항에 있어서,
상기 세라믹 기판을 접합하는 단계 이전에, 상기 발광다이오드의 개별소자 측면에 실리콘 옥사이드(SiO2) 또는 실리콘 나이트라이드(Si3N4)로 이루어진 보호박막층, 및 고분자유기화합물층을 순차로 형성하여 발광다이오드를 둘러싸는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
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14
제 12항에 있어서,
상기 반도체층의 상부에 형성된 전극 이외에 반사막을 형성하는 단계를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
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15
제 14항에 있어서,
상기 반사막은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 인듐 산화물, 주석산화물, 실리콘 옥사이드(SiO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 알류미늄 산화물, 티타늄 산화물, 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir)으로 구성된 그룹 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
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16
제 12항에 있어서,
상기 기판을 제거한 후에 개별소자의 하부면에 텍스쳐링 구조를 형성하는 단계를 추가로 더 포함하고, 상기 텍스쳐링 구조는 나노 임프린팅법, 리소그래피법, 또는 레이저 홀로그라피법으로 패터닝한 후 건식 식각법으로 형성하거나, 또는 패터닝하지 않는 습식화학에칭법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드의 제조방법
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