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3족 질화물 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2015200499
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판 위에 구비되는 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 구비되며, 제1 도전성을 가지도록 도핑된 제1 질화물 반도체층; 및 상기 버퍼층과 상기 제1 질화물 반도체층 사이에 구비되며, 결정결함의 진행을 차단하거나 상기 결정결함이 전파되는 방향을 바꾸어 상기 제1 질화물 반도체층으로 전파되는 상기 결정결함의 전파를 경감시키는 결함 완화층;을 포함한다. 본 발명에 따르면 결정결함의 전파가 완화되므로 광 특성(예: IV) 및 전기적 특성(예: Vr, Ir)이 크게 향상되는 이점을 가진다.
Int. CL H01L 33/32 (2010.01) H01L 33/12 (2010.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130031468 (2013.03.25)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1436385-0000 (2014.08.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 광주광역시 광산구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구
3 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
4 정성훈 대한민국 광주광역시 북구
5 민판기 대한민국 대구광역시 서구
6 이광재 대한민국 광주광역시 북구
7 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
8 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
9 박형조 대한민국 광주광역시 광산구
10 정탁 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 명장 대한민국 충청북도 청주시 서원구 산남로**번길 **, ***호(산남동, 원홍빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0255350-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0103444-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0148988-21
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0407116-53
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0407137-12
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0373939-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0690541-15
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0690542-50
10 등록결정서
Decision to grant
2014.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0566191-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 구비되는 버퍼층;상기 버퍼층 위에 구비되며, 제1 도전성을 가지도록 도핑된 제1 질화물 반도체층; 및상기 버퍼층과 상기 제1 질화물 반도체층 사이에 구비되며, 결정결함의 진행을 차단하거나 상기 결정결함이 전파되는 방향을 바꾸어 상기 제1 질화물 반도체층으로 전파되는 상기 결정결함의 전파를 경감시키는 결함 완화층;을 포함하며,상기 결함 완화층은, 상기 제1 질화물 반도체층의 성장온도(T2)보다 설정된 온도(△T)만큼 저온에서 성장되는 제1 결함 완화층; 및상기 제1 결함 완화층 위에 성장되며, 상기 제1 결함 완화층의 성장온도(T1)보다 상대적으로 고온에서 성장되는 제2 결함 완화층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 버퍼층과 상기 결함 완화층 사이에 개재(interposed)되며, 도핑되지 않은 질화물 반도체로 구비되는 제2 질화물 반도체층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
3 3
삭제
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1 결함 완화층은 전파되는 상기 결정결함이 차단되거나 상기 결정결함의 전파 방향이 바뀌도록 상기 제1 질화물 반도체층의 표면과 비교하여 상대적으로 표면이 거칠게 형성되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제2 결함 완화층은 상기 제1 결함 완화층의 상대적으로 거친 표면을 완화시키는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
6 6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제2 결함 완화층은 상기 제1 결함 완화층의 성장온도(T1)로부터 상기 제1 질화물 반도체층의 성장온도(T2)까지 시간에 따라 선형적으로 증가하는 온도조건 하에서 성장되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
7 7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1 결함 완화층은, 상기 제1 질화물 반도체층의 성장 온도(T2)보다 150℃ 내지 600℃ 낮은 온도에서 성장되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
8 8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 결함 완화층은 상기 제1 결함 완화층과 상기 제2 결함 완화층이 복수 회 반복 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
9 9
삭제
10 10
청구항 2에 있어서,상기 결함 완화층과 상기 제2 질화물 반도체층은 상기 버퍼층과 상기 제1 질화물 반도체층 사이에 복수 회 반복 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.