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반도체 발광소자에 있어서,
다수의 요철을 포함하는 기판;
측면성장을 통해 상기 요철의 측면 및 상부에 형성되는 씨드층;
상기 씨드층의 상부에 수평 성장하여 캔틸레버 형태를 나타내는 반도체층;및
상기 기판 중 요철이 형성되지 않은 부분과 상기 반도체층 사이에 형성되는 에어갭;
을 포함하는 에어갭을 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 및 사파이어(Al2O3) 중 선택되는 1종의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 요철은 원형, 삼각형, 사각형, 및 다각형 중 선택되는 어느 하나의 형태를 나타내는 것을 특징으로 하는 에어갭을 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 씨드층은 AlXGa(1-X)N(단, X는 0이상 1이하)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 포함하는 반도체 발광소자
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5
제 1항에 있어서, 상기 반도체층은 질화갈륨(GaN)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 포함하는 반도체 발광소자
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6
기판의 상부에 다수의 요철을 형성하는 단계;
상기 요철을 포함하는 기판의 상부에 씨드층을 성장하는 단계; 및
상기 씨드층의 상부에 반도체층이 수평 성장하여 상기 반도체층의 하부의 소정부분에 에어갭을 형성하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 씨드층을 성장하는 단계는,
상기 씨드층이 측면성장을 통해 상기 요철의 측면 및 상부에 성장하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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8
제 6항에 있어서, 상기 에어갭을 형성하는 단계는,
상기 반도체층과 상기 요철이 형성되지 않은 부분의 기판 사이에 에어갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 에어갭을 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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