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기판;상기 기판 상에 형성되는 배면 전극층;상기 배면 전극층 상에 형성되는 나노선 성장층;상기 나노선 성장층 상에 형성되는 광전 변환층; 및상기 광전 변환층 상에 형성되는 투명 전극층;을 포함하며,상기 광전 변환층은 상기 나노선 성장층 위에 형성되는 n형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선(nano wire: NW), 및 상기 n형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선 위에 이어져서 형성되는 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선과 상기 n형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선 및 상기 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선을 둘러싸는 유전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 나노선 성장층은 상기 배면 전극 층 위에 전도성 화합물을 증착시킨 전도성 화합물층, 및 상기 전도성 화합물층 위에 형성되는 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 및 팔라듐(Pd)을 1종 이상 포함하는 금속 촉매로 이루어진 촉매 입자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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제2항에 있어서, 상기 전도성 화합물은 산화아연(ZnO), 알루미늄(Al)이 도핑된 산화아연, ITO, 그래핀, 및 탄소나노튜브를 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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제2항에 있어서, 상기 n형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선은 상기 촉매 입자층의 촉매 입자와 상기 전도성 화합물층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극층은 상기 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선의 상단과 연결되도록 상기 광전 변화층 위에 전도성 화합물을 증착시킨 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 유연성 기판인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 배면 전극층은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 및 구리(Cu)를 1종 이상 포함하는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 n 및 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선은 각각 n 및 p형 InxyGa(1-x)yAl1-yAszP1-z(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1), InGaAs, 또는 이들의 조합으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 n 및 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선은 직경이 1 내지 100 nm이고, 길이가 1 내지 20 ㎛인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 광전 변환층의 에너지 밴드갭 범위는 0
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제1항에 있어서, 상기 광전 변환층 및 상기 투명 전극층으로 이루어지는 단위가 두 번 이상 반복되어 적층되고, 상기 단위가 적층되는 투명 전극층 상에는 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 및 팔라듐(Pd)을 1종 이상 포함하는 금속 촉매로 이루어진 촉매 입자층이 더욱 적층되며, 적층되는 광전 변환층은 상기 기판으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 큰 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극층 위에, 유전체층, 나노선 성장층, 광전 변환층, 및 투명 전극층으로 이루어지는 단위가 한 번 이상 반복되어 더욱 적층되며, 적층되는 광전 변환층은 상기 기판으로부터 멀어질수록 에너지 밴드갭이 큰 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지
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배면 전극층이 형성된 기판 위에 나노선 성장층을 형성하는 단계; 상기 나노선 성장층 위에 n형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물을 성장시켜 n형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선(nano wire: NW)을 형성하고 상기 n형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선 위에 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물을 성장시켜 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선을 형성하여 광전 변환층을 형성하는 단계; 및 상기 광전 변환층 위에 투명 전극층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 광전 변환층을 형성하는 단계는 상기 n형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선을 감싸도록 유전체를 증착시키는 단계, 및 상기 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선을 감싸도록 유전체를 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 나노선 성장층을 형성하는 단계는 상기 배면 전극층 위에 전도성 화합물을 증착시키는 단계, 및 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 및 팔라듐(Pd)을 1종 이상 포함하는 금속 촉매로 이루어진 촉매 입자층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지 제조방법
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삭제
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제14항에 있어서, 상기 투명 전극층을 형성하는 단계는 상기 p형 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 나노선의 상단과 연결되도록 상기 광전 변화층 위에 전도성 화합물을 증착시키는 단계인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 광전 변환층을 형성하는 단계 및 상기 투명 전극층을 형성하는 단계를 두 번 이상 반복하여, 상기 광전 변환층 및 상기 투명 전극층으로 이루어지는 단위가 적층되도록 하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 광전 변환층 및 상기 투명 전극층으로 이루어지는 단위가 적층되는 투명 전극층 상에는 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 및 팔라듐(Pd)을 1종 이상 포함하는 금속 촉매로 이루어진 촉매 입자층이 더욱 적층되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 투명 전극층 상에 유전체를 증착시켜 유전체층을 형성하는 단계, 및 상기 나노선 성장층을 형성하는 단계, 상기 광전 변환층을 형성하는 단계 및 상기 투명 전극층을 형성하는 단계를 한 번 이상 반복하여, 유전체층, 나노선 성장층, 광전 변환층, 및 투명 전극층으로 이루어지는 단위가 더욱 적층되도록 하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 태양전지 제조방법
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